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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.82 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 4 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4.6 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4.6 A | 最大漏源导通电阻： | 0.105 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | MS-012AA |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 5 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 15 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI4108DY | VISHAY |
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N-Channel 75-V (D-S) MOSFET |
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| SI4110DY | VISHAY |
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N-Channel 80-V (D-S) MOSFET |
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| SI4110DY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 80-V (D-S) MOSFET |
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| SI4112 | SILICON |
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DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS |
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| SI4112-BM | ETC |
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DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS |
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| SI4112-BT | ETC |
获取价格 |
DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS |
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| SI4112-D-GM | SILICON |
获取价格 |
DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS |
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| SI4112-D-GT | SILICON |
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DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS |
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| SI4112-D-GTR | SILICON |
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RF and Baseband Circuit, PDSO24, ROHS COMPLIANT, TSSOP-24 |
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| SI4112G | SILICON |
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DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR GSM AND GPRS WIRELESS COMMUNICATIONS |
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