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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DFN |
| 包装说明： | HVQCCN, | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.7 | Is Samacsys： | N |
| 模拟集成电路 - 其他类型： | PHASE LOCKED LOOP | JESD-30 代码： | S-XQCC-N28 |
| 长度： | 5 mm | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -20 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | HVQCCN | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 0.9 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES | 温度等级： | OTHER |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | QUAD | 宽度： | 5 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI4113G-BT | SILICON |
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DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR GSM AND GPRS WIRELESS COMMUNICATIONS |
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| SI4113G-BT* | ETC |
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DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR GSM AND GPRS WIRELESS COMMUNICATIONS |
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| SI4114DY | VISHAY |
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N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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| SI4114DY_09 | VISHAY |
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N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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| SI4114DY-T1-E3 | VISHAY |
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N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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| SI4114DY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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| SI4114G-B-GM | SILICON |
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RF and Baseband Circuit, 5 X 5 MM, LEAD FREE, QFN-28 |
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| SI4114G-BM | SILICON |
获取价格 |
RF and Baseband Circuit, 5 X 5 MM, QFN-28 |
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| SI4116DY | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 25-V (D-S) MOSFET |
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| SI4116DY-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 25-V (D-S) MOSFET |
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