生命周期: | Active | 零件包装代码: | SC-70 |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.7 | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 1.4 A |
最大漏极电流 (ID): | 1.4 A | 最大漏源导通电阻: | 0.15 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 0.5 W |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SI1330EDL | VISHAY |
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N-Channel 60-V (D-S) MOSFET | |
SI1330EDL_05 | VISHAY |
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N-Channel 60-V (D-S) MOSFET | |
SI1330EDL_10 | VISHAY |
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N-Channel 60 V (D-S) MOSFET | |
SI1330EDL-T1 | VISHAY |
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N-Channel 60-V (D-S) MOSFET | |
SI1330EDL-T1-E3 | VISHAY |
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TRANS MOSFET N-CH 60V 0.24A 3PIN SC-70 - Tape and Reel | |
SI1330EDL-T1-GE3 | VISHAY |
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N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel | |
SI1400DL | VISHAY |
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N-Channel 20-V (D-S) MOSFET | |
SI1400DL-E3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 1600 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SC-70, 6 PIN, FET General P | |
SI1400DL-T1 | VISHAY |
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N-Channel 20-V (D-S) MOSFET | |
SI1400DL-T1-E3 | VISHAY |
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N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |