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SI1401EDH-T1-GE3

更新时间： 2024-10-02 15:51:11

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	269K
描述
P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel

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SI1401EDH-T1-GE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	SC-70	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	1.54
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	12 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4 A
最大漏极电流 (ID)：	4 A	最大漏源导通电阻：	0.034 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2.8 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	PURE MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SI1401EDH-T1-GE3 数据手册

New Product

Si1401EDH

Vishay Siliconix

P-Channel 12 V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free According to IEC 61249-2-21

V_DS(V)

R_DS(on)()

I_D(A)^a

- 4

Q_g(Typ.)

Definition

TrenchFET^®Power MOSFET

Typical ESD Performance 1500 V

0.034 at V_GS= - 4.5 V

0.046 at V_GS= - 2.5 V

0.070 at V_GS= - 1.8 V

0.110 at V_GS= - 1.5 V

•

- 4

- 12

14.1 nC

100 % R Tested

- 4

Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

- 4

APPLICATIONS

• Load Switch, PA Switch and Battery Switch for Portable

Devices

SOT-363

SC-70 (6-LEADS)

- Cellular Phone

- DSC

- Portable Game Console

- MP3

- GPS

Marking Code

B P X

X X X

Part # code

Lot Traceability

and Date code

Top View

Ordering Information: Si1401EDH-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Limit

- 12

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

- 4^a

_C= 25 °C

- 4^a

T_C= 70 °C

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)

I_D

- 4^{a, b, c}

- 25

Pulsed Drain Current

I_DM

I_S

- 2.3

T_C= 25 °C

Continuous Source-Drain Diode Current

- 1.3^{b, c}

2.8

_A= 25 °C

_C= 25 °C

T_C= 70 °C

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

1.8

Maximum Power Dissipation

P_D

1.6^{b, c}

1.0^{b, c}

- 55 to 150

260

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_J, T_stg

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Maximum Junction-to-Ambient^{b, d}

Symbol

R_thJA

Typical

Maximum

Unit

t  5 s

°C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Steady State

R_thJF

Notes:

a. Package limited.

b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.

c. t = 5 s.

d. Maximum under steady state conditions is 125 °C/W.

Document Number: 70080

S10-1537-Rev. A, 19-Jul-10

www.vishay.com

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SI1403CDL-T1-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 2100 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPL
SI1403DL	VISHAY	获取价格	P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI1403DL-E3	VISHAY	获取价格	Transistor
SI1403DL-T1	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal

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