SI1407DL

更新时间： 2024-01-22 22:44:56

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威世 - VISHAY		晶体晶体管
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4页	58K
描述
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET

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SI1407DL 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SC-70
包装说明：	,	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.06
Is Samacsys：	N	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.6 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.568 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

SI1407DL 数据手册

Si1407DL

Vishay Siliconix

New Product

P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.130 @ V = –4.5 V

–1.8

–1.5

–1.3

–12

0.170 @ V = –2.5

0.225 @ V = –1.8

SOT-363

SC-70 (6-LEADS)

Marking Code

OC XX

Lot Traceability

and Date Code

Part # Code

Top View

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T= _2C5 UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

5 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

–12

= 25_C

= 85_C

–1.6

–1.2

–1.8

–1.4

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

–5

Continuous Diode Current (Diode Conduction)

–0.8

0.625

0.400

–0.8

0.568

0.295

= 25_C

= 85_C

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 5 sec

Steady State

165

180

105

200

220

130

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJF

C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 71074

S-01561—Rev. C, 17-Jul-00

www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600

2-1

12 3 4

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