是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.86 | 配置: | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 3.1 A | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-609代码: | e0 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 1.56 W | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SI1406DH-T1-E3 | VISHAY |
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N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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SI1406DH-T1-GE3 | VISHAY |
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N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel |
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SI1407DL | VISHAY |
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P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
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SI1407DL-E3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 1600 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SC-70, 6 PIN, FET General P |
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SI1407DL-T1 | VISHAY |
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P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
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SI1410EDH | VISHAY |
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N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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SI1410EDH_08 | VISHAY |
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N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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SI1410EDH_10 | VISHAY |
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N-Channel 20 V (D-S) MOSFET |
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SI1410EDH-T1-E3 | VISHAY |
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Trans MOSFET N-CH 20V 2.9A 6-Pin SC-70 T/R |
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SI1410EDH-T1-GE3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 2900 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPL |
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