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SI1406DH-T1

更新时间： 2024-01-15 08:16:27

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5页	93K
描述
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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SI1406DH-T1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.86	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.1 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.56 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

SI1406DH-T1 数据手册

Si1406DH

Vishay Siliconix

N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFETS

D 1.8-V Rated

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

Pb-free

Available

D Thermally Enhanced SC-70

Package

0.065 @ V = 4.5 V

3.9

3.6

3.2

0.075 @ V = 2.5

APPLICATIONS

0.096 @ V = 1.8

D Load Switching

D PA Switch

D Level Switch

SOT-363

SC-70 (6-LEADS)

Marking Code

AB XX

Lot Traceability

and Date Code

Part # Code

Top View

Ordering Information: Si1406DH-T1

Si1406DH-T1—E3 (Lead (Pb)-Free)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

5 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

= 25_C

= 85_C

3.1

2.2

3.9

2.8

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

Continuous Diode Current (Diode Conduction)

1.4

0.9

1.0

= 25_C

= 85_C

1.56

0.81

Maximum Power Dissipation

0.52

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

−55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 5 sec

Steady State

100

125

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

_C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

thJF

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 70684

S-50366—Rev. B, 28-Feb-05

www.vishay.com

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