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SI1404BDH-T1-E3

更新时间： 2024-10-02 19:25:15

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	110K
描述
TRANSISTOR 1900 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SC-70, 6 PIN, FET General Purpose Small Signal

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SI1404BDH-T1-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-70
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.37 A
最大漏极电流 (ID)：	1.9 A	最大漏源导通电阻：	0.238 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2.28 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SI1404BDH-T1-E3 数据手册

Si1404BDH

Vishay Siliconix

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free According to IEC 61249-2-21

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

I_D(A)^a

1.9

Q_g(Typ.)

Definition

0.238 at V_GS= 4.5 V

0.380 at V_GS= 2.5 V

•

TrenchFET^®Power MOSFET

100 % R_gTested

1.1 nC

1.51

Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

APPLICATIONS

SC-70 (6-LEADS)

•

Load Switch for Portable Device

Marking Code

Lot

Traceability

and Date Code

Part #

Code

Top View

Ordering Information: Si1404BDH-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

Si1404BDH-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

T_C= 70 °C

_A= 25 °C

2.37

1.90

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)

I_D

1.90

T_A= 70 °C

1.52^{b, c}

Pulsed Drain Current

I_DM

I_S

T_C= 25 °C

T_A= 25 °C

T_C= 25 °C

T_C= 70 °C

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

1.89

1.1^{b, c}

Continuous Source-Drain Diode Current

2.28

1.45

Maximum Power Dissipation

P_D

1.32^{b, c}

0.94^{b, c}

- 55 to 150

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_stg

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Maximum Junction-to-Ambient^d

Symbol

R_thJA

Typical

Maximum

Unit

t ≤ 5 s

°C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Steady State

R_thJF

Notes:

a. Based on T_C= 25 °C.

b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.

c. t = 5 s.

d. Maximum under steady state conditions is 100 °C/W.

Document Number: 73487

S10-0645-Rev. B, 22-Mar-10

www.vishay.com

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