SI1403DL

更新时间： 2024-10-01 21:54:07

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威世 - VISHAY		晶体晶体管
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4页	71K
描述
P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

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SI1403DL 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.89	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.4 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.568 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

SI1403DL 数据手册

_C/W

Si1403DL

Vishay Siliconix

New Product

P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.180 @ V = –4.5 V

"1.5

"1.4

"1.2

–20

0.200 @ V = –3.6

0.265 @ V = –2.5

SOT-363

SC-70 (6-LEADS)

Marking Code

OA XX

Lot Traceability

and Date Code

Part # Code

Top View

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T= _2C5 UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

5 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

–20

"12

= 25_C

= 85_C

"1.4

"1.0

"1.5

"1.2

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

Continuous Diode Current (Diode Conduction)

–0.8

0.625

0.400

–0.8

0.568

0.295

= 25_C

= 85_C

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 5 sec

Steady State

165

180

105

200

220

130

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJF

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 71072

S-01559—Rev. B, 17-Jul-00

www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600

2-1

12 3 4

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