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Datasheet > SI1403CDL-T1-GE3
SI1403CDL-T1-GE3 PDF预览

SI1403CDL-T1-GE3

更新时间： 2024-10-02 21:20:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 245K
描述
TRANSISTOR 2100 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SC-70, 6 PIN, FET General Purpose Small Signal

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SI1403CDL-T1-GE3 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-70
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.68配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.1 A
最大漏极电流 (ID)：2.1 A最大漏源导通电阻：0.14 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.9 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI1403CDL-T1-GE3 数据手册

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Si1403CDL  
Vishay Siliconix  
P-Channel 20 V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) ()  
Qg (Typ.)  
I
D (A)c  
Definition  
0.140 at VGS = - 4.5 V  
0.160 at VGS = - 3.6 V  
0.222 at VGS = - 2.5 V  
- 2.1  
- 1.9  
- 1.6  
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg Tested  
- 20  
4 nC  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
APPLICATIONS  
•
•
Load Switch for Portable Devices  
DC/DC Converters  
SOT-363  
SC-70 (6-LEADS)  
S
D
D
G
1
2
3
6
D
D
S
Marking Code  
OE XX  
5
4
G
Lot Traceability  
and Date Code  
Part #  
Code  
Top View  
Ordering Information: Si1403CDL-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
D
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C, unless otherwise noted)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
- 20  
12  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
T
C = 25 °C  
C = 70 °C  
- 2.1  
- 1.6  
- 1.6a, b  
- 1.3a, b  
- 5  
T
ID  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current (10 µs Pulse Width)  
Continuous Source-Drain Diode Current  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
- 1.75  
- 0.5 a, b  
0.9  
0.6  
PD  
W
Maximum Power Dissipation  
0.6a, b  
T
A = 25 °C  
0.4a, b  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambienta, d  
Symbol  
Typical  
Maximum  
220  
Unit  
RthJA  
t 5 s  
180  
115  
°C/W  
RthJF  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Steady State  
140  
Notes:  
a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
b. t = 5 s.  
c. Based on TC = 25 °C.  
d. Maximum under steady state conditions is 230 °C/W.  
Document Number: 67093  
S10-2541-Rev. A, 08-Nov-10  
www.vishay.com  
1
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