SI1400DL-T1

更新时间： 2024-10-02 06:11:31

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管
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5页	124K
描述
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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SI1400DL-T1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.87	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.6 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.568 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

SI1400DL-T1 数据手册

New Product

Si1400DL

Vishay Siliconix

N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

FEATURES

•

PRODUCT SUMMARY

TrenchFET^®Power MOSFET: 2.5 V Rated

V_DS(V)

r_DS(on)(Ω)

I_D(A)

1.7

Pb-free

0.150 at V_GS= 4.5 V

0.235 at V_GS= 2.5 V

Available

- 20

1.3

RoHS*

COMPLIANT

SOT-363

SC-70 (6-LEADS)

Marking Code

ND XX

Lot Traceability

and Date Code

Part # Code

Top View

Ordering Information: Si1400DL-T1

Si1400DL-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

5 s

Steady State

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

T_A= 25 °C

T_A= 85 °C

1.7

1.2

1.6

1.0

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)^a

I_D

I_DM

I_S

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)^a

0.8

0.625

0.40

0.8

T_A= 25 °C

0.568

0.295

Maximum Power Dissipation^a

P_D

T_A= 85 °C

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

- 55 to 150

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

165

Maximum

200

Unit

t ≤ 5 s

Maximum Junction-to-Ambient^a

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

R_thJA

Steady State

180

220

°C/W

R_thJF

105

130

Notes:

a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 Board.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply.

Document Number: 71179

S-71951-Rev. C, 10-Sep-07

www.vishay.com

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