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SI1330EDL-T1-E3 PDF预览

SI1330EDL-T1-E3

更新时间： 2024-02-12 05:12:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 98K
描述
TRANS MOSFET N-CH 60V 0.24A 3PIN SC-70 - Tape and Reel

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SI1330EDL-T1-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SC-70包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：0.77
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.24 A最大漏极电流 (ID)：0.24 A
最大漏源导通电阻：2.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.31 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI1330EDL-T1-E3 数据手册

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Si1330EDL  
Vishay Siliconix  
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
0.25  
0.23  
0.05  
Definition  
2.5 at VGS = 10 V  
3 at VGS = 4.5 V  
8 at VGS = 3 V  
•
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
ESD Protected: 2000 V  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
60  
APPLICATIONS  
•
P-Channel Driver  
- Notebook PC  
- Servers  
SOT-323  
SC-70 (3-LEADS)  
D
G
S
1
Marking Code  
3
D
KD XX  
Lot Traceability  
and Date Code  
G
2
Part # Code  
Top View  
Ordering Information: Si1330EDL-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si1330EDL-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
5 s  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
60  
V
VGS  
20  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
0.25  
0.2  
0.24  
0.19  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
A
Pulsed Drain Current  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
IDM  
IS  
1.0  
0.26  
0.31  
0.20  
0.23  
0.28  
0.18  
TA = 25 °C  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
W
TA = 70 °C  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TJ, Tstg  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
RthJA  
Typical  
355  
Maximum  
400  
Unit  
t ≤ 5 s  
Maximum Junction-to-Ambienta  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Steady State  
Steady State  
380  
450  
°C/W  
RthJF  
285  
340  
Notes:  
a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
Document Number: 72861  
S10-0721-Rev. B, 29-Mar-10  
www.vishay.com  
1
12345

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SI1330EDL-T1-E3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI1330EDL-T1-GE3 VISHAY

完全替代

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SSM3K7002BFU TOSHIBA

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