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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | SC-75A | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 0.75 |
| 其他特性： | LOW THRESHOLD | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.14 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.14 A | 最大漏源导通电阻： | 5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.28 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SI1032R-T1-E3 | VISHAY |
功能相似  |
N-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET |
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| SI1032R | VISHAY |
功能相似 |
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI1032X | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET |
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| SI1032X-T1 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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| SI1032X-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET |
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| SI1032X-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET |
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| SI1033 | ETC |
获取价格 |
WIRELESS PRODUCT SELECTOR GUIDE |
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| SI1033-A-GM | SILICON |
获取价格 |
Ultra Low Power 128K, LCD MCU Family |
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| SI1033X | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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| SI1033X-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor |
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| SI1033X-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor |
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| SI1033X-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 145 mA, 20 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, S |
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