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SI1035X-T1-E3

更新时间： 2024-11-18 06:11:31
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威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
8页 128K
描述
Complementary N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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SI1035X-T1-E3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.8最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.18 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.28 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YESBase Number Matches：1

SI1035X-T1-E3 数据手册

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Si1035X  
Vishay Siliconix  
Complementary N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
•
•
•
•
Halogen-free Option Available  
TrenchFET® Power MOSFET: 1.5 V Rated  
Very Small Footprint  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (mA)  
200  
5 at VGS = 4.5 V  
7 at VGS = 2.5 V  
9 at VGS = 1.8 V  
10 at VGS = 1.5 V  
8 at VGS = - 4.5 V  
12 at VGS = - 2.5 V  
15 at VGS = - 1.8 V  
20 at VGS = - 1.5 V  
RoHS  
COMPLIANT  
175  
High-Side Switching  
N-Channel  
P-Channel  
20  
150  
Low On-Resistance:  
N-Channel, 5 Ω  
P-Channel, 8 Ω  
50  
- 150  
- 125  
- 100  
- 30  
•
•
•
•
Low Threshold: 0.9 V (typ.)  
Fast Switching Speed: 45 ns (typ.)  
1.5 V Operation  
- 20  
Gate-Source ESD Protected: 2000 V  
BENEFITS  
•
•
•
•
•
Ease in Driving Switches  
SC-89  
Low Offset (Error) Voltage  
Low-Voltage Operation  
High-Speed Circuits  
S
1
1
2
3
6
5
4
D
1
Low Battery Voltage Operation  
G
G
2
1
Marking Code: M  
APPLICATIONS  
D
S
2
2
•
•
•
•
Replace Digital Transistor, Level-Shifter  
Battery Operated Systems  
Top View  
Power Supply Converter Circuits  
Load/Power Switching Cell Phones, Pagers  
Ordering Information: Si1035X-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si1035X-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
N-Channel  
P-Channel  
Steady State  
Parameter  
Symbol  
5 s  
Steady State  
20  
5 s  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
- 20  
V
VGS  
5
TA = 25 °C  
TA = 85 °C  
190  
140  
180  
130  
- 155  
- 110  
- 145  
- 105  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
mA  
Pulsed Drain Currentb  
IDM  
IS  
650  
- 650  
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
450  
280  
145  
380  
250  
130  
- 450  
280  
- 380  
250  
TA = 25 °C  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
mW  
TA = 85 °C  
145  
130  
TJ, Tstg  
ESD  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Gate-Source ESD Rating (HBM, Method 3015)  
- 55 to 150  
2000  
°C  
V
Notes:  
a. Surface Mounted on FR4 board.  
b. Pulse width limited by maximum junction temperature.  
Document Number: 71426  
S-80643-Rev. B, 24-Mar-08  
www.vishay.com  
1
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SI1035X-T1-E3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI1035X-T1-GE3 VISHAY

完全替代

 Complementary N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

与SI1035X-T1-E3相关器件

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