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SI1039X-T1-E3

更新时间： 2024-11-18 20:03:55
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
7页 111K
描述
Transistor

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SI1039X-T1-E3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.8配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.87 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.21 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)Base Number Matches：1

SI1039X-T1-E3 数据手册

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Si1039X  
Vishay Siliconix  
P-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) ()  
ID (A)  
- 0.95  
- 0.82  
- 0.67  
Definition  
0.165 at VGS = - 4.5 V  
0.220 at VGS = - 2.5 V  
0.280 at VGS = - 1.8 V  
•
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
Low Threshold  
Smallest LITTLE FOOT® Package:  
1.6 mm x 1.6 mm  
- 12  
•
•
Low 0.6 mm Profile  
SC-89 (6-LEADS)  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
D
D
G
1
2
3
6
5
D
D
S
APPLICATIONS  
•
Cell Phones and Pagers  
- Load Switch  
Marking Code  
WL  
O
Lot Traceability  
and Date Code  
4
Part Number Code  
Top View  
Ordering Information: Si1039X-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C, unless otherwise noted)  
A
Parameter  
Symbol  
5 s  
Steady State  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
- 12  
8
V
VGS  
TA = 25 °C  
A = 70 °C  
- 0.95  
- 0.76  
- 0.87  
- 0.69  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
T
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
- 4  
Continuous Diode Current (Diode Conduction)a  
- 0.18  
0.21  
- 0.14  
0.17  
TA = 25 °C  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
W
TA = 70 °C  
0.13  
0.10  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
500  
Maximum  
600  
Unit  
t 5 s  
Maximum Junction-to-Ambienta  
RthJA  
°C/W  
Steady State  
600  
720  
Notes:  
a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board with minimum copper.  
Document Number: 70682  
S10-2544-Rev. D, 08-Nov-10  
www.vishay.com  
1
1234567

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SI1039X-T1-E3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI1039X-T1-GE3 VISHAY

完全替代

 P-CHANNEL 1.8-V (G-S) MOSFET- LEAD FREE - Tape and Reel
SI1073X-T1-E3 VISHAY

功能相似

 P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI1067X-T1-GE3 VISHAY

功能相似

 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

与SI1039X-T1-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI1039X-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		P-CHANNEL 1.8-V (G-S) MOSFET- LEAD FREE - Tape and Reel
SI103X SILICON

获取价格

 		Ultra Low Power 128K, LCD MCU Family
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获取价格

 		SMT Power Inductor
SI1040X VISHAY

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 		Load Switch with Level-Shift
SI1040X_08 VISHAY

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 		Load Switch with Level-Shift
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 		Buffer/Inverter Based Peripheral Driver, 1A, PDSO6, 1.60 X 1.60 MM, SC-89, 6 PIN
SI1040X-T1-E3 VISHAY

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