SI1037X

更新时间： 2024-11-17 22:21:51

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威世 - VISHAY		晶体晶体管
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4页	39K
描述
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET

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SI1037X 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.91	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.77 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.21 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

SI1037X 数据手册

Si1037X

Vishay Siliconix

New Product

P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET

FEATURES

D TrenchFETr Power MOSFET

D Low Threshold

PRODUCT SUMMARY

D Smallest LITTLE FOOTr Package: 1.6 mm x 1.6 mm

D Low 0.6-mm Profile

APPLICATIONS

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.195 @ V = –4.5 V

–0.84

–0.73

–0.64

–20

0.260 @ V = –2.5

D Cell Phones and Pagers

0.350 @ V = –1.8

– Load Switch

D Battery Operated Systems

SC-89 (6-LEADS)

Marking Code

Lot Traceability

and Date Code

Pin 1

Part Number Code

Identifier

Top View

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

5 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

–20

= 25_C

= 70_C

–0.77

–0.62

–0.84

–0.68

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

–4

Continuous Diode Current (Diode Conduction)

–0.18

0.21

0.13

–0.14

0.17

0.10

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 5 sec

500

600

720

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

C/W

Steady State

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board with minimum copper.

Document Number: 70686

S-04766—Rev. A, 08-Oct-01

www.vishay.com

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