5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SI1032X-T1-E3
SI1032X-T1-E3 PDF预览

SI1032X-T1-E3

更新时间： 2024-11-30 06:11:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 121K
描述
N-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

SI1032X-T1-E3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.81
Is Samacsys：N配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.2 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.34 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)Base Number Matches：1

SI1032X-T1-E3 数据手册

 浏览型号SI1032X-T1-E3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SI1032X-T1-E3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SI1032X-T1-E3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SI1032X-T1-E3的Datasheet PDF文件第5页 
Si1032R/X  
Vishay Siliconix  
N-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
•
•
•
•
•
•
Halogen-free Option Available  
Low-Side Switching  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (mA)  
200  
5 at VGS = 4.5 V  
7 at VGS = 2.5 V  
9 at VGS = 1.8 V  
10 at VGS = 1.5 V  
Low On-Resistance: 5 Ω  
Low Threshold: 0.9 V (typ.)  
Fast Switching Speed: 35 ns  
TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5-V Rated  
2000 V ESD Protection  
RoHS  
COMPLIANT  
175  
20  
150  
50  
BENEFITS  
•
•
•
•
•
Ease in Driving Switches  
Low Offset (Error) Voltage  
Low-Voltage Operation  
High-Speed Circuits  
SC-75A or SC-89  
Low Battery Voltage Operation  
G
S
1
APPLICATIONS  
•
3
D
Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays,  
Memories  
Battery Operated Systems  
Power Supply Converter Circuits  
Load/Power Switching Cell Phones, Pagers  
2
•
•
•
Marking Code: G  
Top View  
Ordering Information:  
Si1032R-T1-E3 (SC-75A, Lead (Pb)-free)  
Si1032R-T1-GE3 (SC-75A, Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
Si1032X-T1-E3 (SC-89, Lead (Pb)-free)  
Si1032X-T1-GE3 (SC-89, Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Si1032R  
Si1032X  
SteadyState  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Unit  
5 s  
SteadyState  
20  
5 s  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
ꢀ
TA = 25 °C  
TA = 85 °C  
200  
110  
140  
100  
210  
150  
200  
140  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
Pulsed Drain Currenta  
ID  
mA  
IDM  
IS  
500  
ꢀ00  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
250  
280  
145  
200  
250  
130  
300  
340  
170  
240  
300  
150  
TA = 25 °C  
Maximum Power Dissipationa for SC-75  
PD  
mW  
TA = 85 °C  
TJ, Tstg  
ESD  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Gate-Source ESD Rating (HBM, Method 3015)  
- 55 to 150  
2000  
°C  
V
Notes:  
a. Surface Mounted on FR4 board.  
Document Number: 71172  
S-81543-Rev. E, 07-Jul-08  
www.vishay.com  
1
12345

中文翻译

下载PDF

SI1032X-T1-E3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI1032X-T1-GE3 VISHAY

类似代替

 N-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET
SI1032X VISHAY

功能相似

 N-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET

与SI1032X-T1-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI1032X-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET
SI1033 ETC

获取价格

 		WIRELESS PRODUCT SELECTOR GUIDE
SI1033-A-GM SILICON

获取价格

 		Ultra Low Power 128K, LCD MCU Family
SI1033X VISHAY

获取价格

 		P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI1033X-E3 VISHAY

获取价格

 		Transistor
SI1033X-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Transistor
SI1033X-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 145 mA, 20 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, S
SI1034 ETC

获取价格

 		WIRELESS PRODUCT SELECTOR GUIDE
SI1034-A-GM SILICON

获取价格

 		Ultra Low Power 128K, LCD MCU Family
SI1034CX VISHAY

获取价格

 		Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

与SI1032X-T1-E3相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证