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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SC-89 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.64 | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.61 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.396 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F6 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.22 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SI1034X-T1-GE3 | VISHAY |
类似代替  |
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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| SI1034X-T1-E3 | VISHAY |
类似代替 |
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI1034X | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
|
| SI1034X_05 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
|
| SI1034X_08 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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| SI1034X-E3 | VISHAY |
获取价格 |
暂无描述 |
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| SI1034X-T1 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| SI1034X-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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| SI1034X-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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| SI1035 | ETC |
获取价格 |
WIRELESS PRODUCT SELECTOR GUIDE |
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| SI1035-A-GM | SILICON |
获取价格 |
Ultra Low Power 128K, LCD MCU Family |
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| SI1035X | VISHAY |
获取价格 |
Complementary N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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