是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Not Recommended |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.37 | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 0.18 A |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码: | e0 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 0.28 W |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
SI1034X-T1-GE3 | VISHAY |
类似代替 |
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET | |
SI1034X-T1-E3 | VISHAY |
功能相似 |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SI1034X_05 | VISHAY |
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N-Channel 20-V (D-S) MOSFET | |
SI1034X_08 | VISHAY |
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N-Channel 20-V (D-S) MOSFET | |
SI1034X-E3 | VISHAY |
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暂无描述 | |
SI1034X-T1 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | |
SI1034X-T1-E3 | VISHAY |
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N-Channel 20-V (D-S) MOSFET | |
SI1034X-T1-GE3 | VISHAY |
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N-Channel 20-V (D-S) MOSFET | |
SI1035 | ETC |
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WIRELESS PRODUCT SELECTOR GUIDE | |
SI1035-A-GM | SILICON |
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Ultra Low Power 128K, LCD MCU Family | |
SI1035X | VISHAY |
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Complementary N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET | |
SI1035X_08 | VISHAY |
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Complementary N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |