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SI1035X

更新时间： 2024-11-16 22:21:51
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威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
7页 54K
描述
Complementary N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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SI1035X 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Not Recommended
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.06最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.18 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码：e0
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.28 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches：1

SI1035X 数据手册

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Si1035X  
Vishay Siliconix  
New Product  
Complementary N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (mA)  
1.5ĆV Rated  
5 @ V = 4.5 V  
200  
175  
GS  
7 @ V = 2.5 V  
GS  
N-Channel  
20  
9 @ V = 1.8 V  
150  
GS  
10 @ V = 1.5 V  
50  
GS  
8 @ V = –4.5 V  
–150  
–125  
–100  
–30  
GS  
12 @ V = –2.5 V  
GS  
P-Channel  
–20  
15 @ V = –1.8 V  
GS  
20 @ V = –1.5 V  
GS  
FEATURES  
BENEFITS  
APPLICATIONS  
D Very Small Footprint  
D High-Side Switching  
D Ease in Driving Switches  
D Low Offset (Error) Voltage  
D Low-Voltage Operation  
D High-Speed Circuits  
D Replace Digital Transistor, Level-Shifter  
D Battery Operated Systems  
D Low On-Resistance:  
D Power Supply Converter Circuits  
D Load/Power Switching Cell Phones, Pagers  
N-Channel, 5 W  
P-Channel, 8 W  
D Low Battery Voltage Operation  
D Low Threshold: "0.9 V (typ)  
D Fast Switching Speed: 45 ns (typ)  
D 1.5-V Operation  
D Gate-Source ESD Protection  
SC-89  
S
1
1
2
3
6
5
4
D
1
G
D
G
2
1
Marking Code: M  
S
2
2
Top View  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
N-Channel  
5 secs Steady State  
P-Channel  
5 secs  
Steady State  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
20  
–20  
DS  
GS  
V
V
"5  
T
= 25_C  
= 85_C  
190  
140  
180  
130  
–155  
–110  
–145  
–105  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150__C)  
I
J
D
T
A
mA  
b
Pulsed Drain Current  
I
650  
–650  
DM  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
450  
280  
145  
380  
250  
130  
–450  
280  
–380  
250  
S
T
= 25_C  
= 85_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
mW  
D
T
A
145  
130  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Gate-Source ESD Rating (HBM, Method 3015)  
T , T  
–55 to 150  
2000  
_C  
J
stg  
ESD  
V
Notes  
a. Surface Mounted on FR4 Board.  
b. Pulse width limited by maximum junction temperature.  
Document Number: 71426  
S-03201—Rev. A, 12-Mar-01  
www.vishay.com  
1
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