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SI1032X-T1-GE3

更新时间： 2024-11-17 06:11:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
5页 121K
描述
N-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET

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SI1032X-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Not Recommended
零件包装代码：SC-89包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：6.97
其他特性：LOW THRESHOLD配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.2 A
最大漏极电流 (ID)：0.2 A最大漏源导通电阻：5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.34 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI1032X-T1-GE3 数据手册

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Si1032R/X  
Vishay Siliconix  
N-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
•
•
•
•
•
•
Halogen-free Option Available  
Low-Side Switching  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (mA)  
200  
5 at VGS = 4.5 V  
7 at VGS = 2.5 V  
9 at VGS = 1.8 V  
10 at VGS = 1.5 V  
Low On-Resistance: 5 Ω  
Low Threshold: 0.9 V (typ.)  
Fast Switching Speed: 35 ns  
TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5-V Rated  
2000 V ESD Protection  
RoHS  
COMPLIANT  
175  
20  
150  
50  
BENEFITS  
•
•
•
•
•
Ease in Driving Switches  
Low Offset (Error) Voltage  
Low-Voltage Operation  
High-Speed Circuits  
SC-75A or SC-89  
Low Battery Voltage Operation  
G
S
1
APPLICATIONS  
•
3
D
Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays,  
Memories  
Battery Operated Systems  
Power Supply Converter Circuits  
Load/Power Switching Cell Phones, Pagers  
2
•
•
•
Marking Code: G  
Top View  
Ordering Information:  
Si1032R-T1-E3 (SC-75A, Lead (Pb)-free)  
Si1032R-T1-GE3 (SC-75A, Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
Si1032X-T1-E3 (SC-89, Lead (Pb)-free)  
Si1032X-T1-GE3 (SC-89, Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Si1032R  
Si1032X  
SteadyState  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Unit  
5 s  
SteadyState  
20  
5 s  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
ꢀ
TA = 25 °C  
TA = 85 °C  
200  
110  
140  
100  
210  
150  
200  
140  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
Pulsed Drain Currenta  
ID  
mA  
IDM  
IS  
500  
ꢀ00  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
250  
280  
145  
200  
250  
130  
300  
340  
170  
240  
300  
150  
TA = 25 °C  
Maximum Power Dissipationa for SC-75  
PD  
mW  
TA = 85 °C  
TJ, Tstg  
ESD  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Gate-Source ESD Rating (HBM, Method 3015)  
- 55 to 150  
2000  
°C  
V
Notes:  
a. Surface Mounted on FR4 board.  
Document Number: 71172  
S-81543-Rev. E, 07-Jul-08  
www.vishay.com  
1
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SI1032X-T1-GE3 替代型号

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