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SI1033X-T1-E3

更新时间： 2024-11-20 14:31:23
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
5页 83K
描述
Transistor

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SI1033X-T1-E3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.145 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.28 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YESBase Number Matches：1

SI1033X-T1-E3 数据手册

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Si1033X  
Vishay Siliconix  
P-Channel 20 V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
Definition  
VDS (V)  
RDS(on) ()  
ID (mA)  
- 150  
- 125  
- 100  
- 30  
8 at VGS = - 4.5 V  
12 at VGS = - 2.5 V  
15 at VGS = - 1.8 V  
20 at VGS = - 1.5 V  
•
•
•
•
•
•
•
•
TrenchFET® Power MOSFET: 1.5 V Rated  
High-Side Switching  
- 20  
Low On-Resistance: 8  
Low Threshold: 0.9 V (typ.)  
Fast Switching Speed: 45 ns (typ.)  
1.5 V Operation  
Gate-Source ESD Protected: 2000 V  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
SC-89  
BENEFITS  
S
1
2
3
6
5
4
D
1
1
•
•
•
•
•
Ease in Driving Switches  
Low Offset (Error) Voltage  
Low-Voltage Operation  
High-Speed Circuits  
G
D
G
2
Marking Code: K  
1
S
2
2
Low Battery Voltage Operation  
Top View  
Ordering Information: Si1033X-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
APPLICATIONS  
•
Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays,  
Memories  
•
•
•
Battery Operated Systems  
Power Supply Converter Circuits  
Load/Power Switching Cell Phones, Pagers  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C, unless otherwise noted)  
A
Parameter  
Symbol  
5 s  
Steady State  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
- 20  
5
V
VGS  
TA = 25 °C  
TA = 85 °C  
- 155  
- 110  
- 145  
- 105  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
mA  
Pulsed Drain Currentb  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
IDM  
IS  
- 650  
- 450  
280  
- 380  
250  
TA = 25 °C  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
mW  
TA = 85 °C  
145  
130  
TJ, Tstg  
ESD  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Gate-Source ESD Rating (HBM, Method 3015)  
- 55 to 150  
2000  
°C  
V
Notes:  
a. Surface mounted on FR4 board.  
b. Pulse width limited by maximum junction temperature.  
Document Number: 71428  
S10-2544-Rev. C, 08-Nov-10  
www.vishay.com  
1
12345

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与SI1033X-T1-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI1033X-T1-GE3 VISHAY

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