5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SI1032X-T1
SI1032X-T1 PDF预览

SI1032X-T1

更新时间： 2024-11-18 22:11:07
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 55K
描述
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

SI1032X-T1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.9Is Samacsys：N
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.2 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码：e0
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.34 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches：1

SI1032X-T1 数据手册

 浏览型号SI1032X-T1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SI1032X-T1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SI1032X-T1的Datasheet PDF文件第4页 
Si1032R/X  
Vishay Siliconix  
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (mA)  
1.5-V Rated  
5 @ V = 4.5 V  
200  
175  
150  
50  
GS  
7 @ V = 2.5  
V
GS  
20  
9 @ V = 1.8 V  
GS  
10 @ V = 1.5 V  
GS  
FEATURES  
BENEFITS  
APPLICATIONS  
D Low-Side Switching  
D Ease in Driving Switches  
D Low Offset (Error) Voltage  
D Low-Voltage Operation  
D High-Speed Circuits  
D Drivers: Relays, Solenoids, Lamps,  
Hammers, Displays, Memories  
D Low On-Resistance: 5 W  
D Low Threshold: 0.9 V (typ)  
D Fast Switching Speed: 35 ns  
D 1.8-V Operation  
D Battery Operated Systems  
D Power Supply Converter Circuits  
D Load/Power Switching Cell Phones, Pagers  
D Low Battery Voltage Operation  
D Gate-Source ESD Protection  
SC-75A or SC-89  
G
S
1
Ordering Information:  
SC-75A (SOT-416): Si1032R-T1  
SC-75A (SOT-416): Si1032R-T1—E3 (Lead Free)  
SC-89 (SOT-490): Si1032X-T1  
3
D
SC-89 (SOT-490): Si1032X-T1—E3 (Lead Free)  
2
Marking Code: G  
Top View  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Si1032X  
Si1032R  
5 secs  
Steady State  
5 secs Steady State  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
20  
DS  
V
V
GS  
"6  
T
= 25_C  
= 85_C  
140  
200  
210  
150  
200  
140  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
J
D
T
A
110  
100  
mA  
a
Pulsed Drain Current  
I
500  
600  
DM  
a
Continuous Source Current (diode conduction)  
I
250  
280  
145  
200  
250  
130  
300  
340  
170  
240  
300  
150  
S
T
= 25_C  
= 85_C  
A
a
Maximum Power Dissipation for SC-75  
P
mW  
D
T
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Gate-Source ESD Rating (HBM, Method 3015)  
T , T  
−55 to 150  
_C  
V
J
stg  
ESD  
2000  
Notes  
c. Surface Mounted on FR4 Board.  
Document Number: 71172  
S-40574—Rev. C, 29-Mar-04  
www.vishay.com  
1
1234

中文翻译

下载PDF

与SI1032X-T1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI1032X-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET
SI1032X-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET
SI1033 ETC

获取价格

 		WIRELESS PRODUCT SELECTOR GUIDE
SI1033-A-GM SILICON

获取价格

 		Ultra Low Power 128K, LCD MCU Family
SI1033X VISHAY

获取价格

 		P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI1033X-E3 VISHAY

获取价格

 		Transistor
SI1033X-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Transistor
SI1033X-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 145 mA, 20 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, S
SI1034 ETC

获取价格

 		WIRELESS PRODUCT SELECTOR GUIDE
SI1034-A-GM SILICON

获取价格

 		Ultra Low Power 128K, LCD MCU Family

与SI1032X-T1相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证