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SI1031R-T1-E3

更新时间： 2024-11-17 06:11:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
5页 105K
描述
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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SI1031R-T1-E3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.8配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.14 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.28 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES

SI1031R-T1-E3 数据手册

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Si1031R/X  
Vishay Siliconix  
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
•
•
•
•
•
•
Halogen-free Option Available  
High-Side Switching  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (mA)  
- 150  
- 125  
- 100  
- 30  
8 at VGS = - 4.5 V  
12 at VGS = - 2.5 V  
15 at VGS = - 1.8 V  
20 at VGS = - 1.5 V  
Low On-Resistance: 8 Ω  
Low Threshold: 0.9 V (typ.)  
Fast Switching Speed: 45 ns  
TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5-V Rated  
ESD Protected: 2000 V  
RoHS  
COMPLIANT  
- 20  
APPLICATIONS  
•
Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays,  
Memories  
•
•
•
Battery Operated Systems  
Power Supply Converter Circuits  
Load/Power Switching Cell Phones, Pagers  
SC-75A or SC-89  
G
S
1
SC-75A (SOT- 416): Si1031R  
SC-89 (SOT- 490): Si1031X  
BENEFITS  
3
D
•
•
•
•
•
Ease in Driving Switches  
Low Offset (Error) Voltage  
Low-Voltage Operation  
High-Speed Circuits  
2
Marking Code: H  
Top View  
Ordering Information:  
Low Battery Voltage Operation  
Si1031R-T1-E3 (SC-75A, Lead (Pb)-free)  
Si1031R-T1-GE3 (SC-75A, Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
Si1031X-T1-E3 (SC-89, Lead (Pb)-free)  
Si1031X-T1-GE3 (SC-89, Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Si1031R  
Si1031X  
SteadyState  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Unit  
5 s  
SteadyState  
- 20  
5 s  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
ꢀ
TA = 25 °C  
TA = 85 °C  
- 150  
- 110  
- 140  
- 100  
- 1ꢀ5  
- 150  
- 155  
- 125  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
Pulsed Drain Currenta  
ID  
mA  
IDM  
IS  
- 500  
- ꢀ00  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
TA = 25 °C  
TA = 85 °C  
- 250  
280  
- 200  
250  
- 340  
340  
- 240  
300  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
mW  
145  
130  
170  
150  
TJ, Tstg  
ESD  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Gate-Source ESD Rating (HBM, Method 3015)  
- 55 to 150  
2000  
°C  
V
Notes:  
a. Surface Mounted on FR4 board.  
Document Number: 71171  
S-81543-Rev. C, 07-Jul-08  
www.vishay.com  
1
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SI1031R-T1-E3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI1031R-T1-GE3 VISHAY

类似代替

 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
BS250P DIODES

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 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
NTE4151PT1G ONSEMI

功能相似

 Small Signal MOSFET −20 V, −760 mA, Single P−Channel, Gate Zener, SCW

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI1031R-T1-GE3 VISHAY

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