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SI1031R-T1-GE3

更新时间： 2024-11-17 06:11:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
5页 105K
描述
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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SI1031R-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-75A
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：1.09其他特性：LOW THRESHOLD
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.14 A最大漏极电流 (ID)：0.14 A
最大漏源导通电阻：8 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.28 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI1031R-T1-GE3 数据手册

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Si1031R/X  
Vishay Siliconix  
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
•
•
•
•
•
•
Halogen-free Option Available  
High-Side Switching  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (mA)  
- 150  
- 125  
- 100  
- 30  
8 at VGS = - 4.5 V  
12 at VGS = - 2.5 V  
15 at VGS = - 1.8 V  
20 at VGS = - 1.5 V  
Low On-Resistance: 8 Ω  
Low Threshold: 0.9 V (typ.)  
Fast Switching Speed: 45 ns  
TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5-V Rated  
ESD Protected: 2000 V  
RoHS  
COMPLIANT  
- 20  
APPLICATIONS  
•
Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays,  
Memories  
•
•
•
Battery Operated Systems  
Power Supply Converter Circuits  
Load/Power Switching Cell Phones, Pagers  
SC-75A or SC-89  
G
S
1
SC-75A (SOT- 416): Si1031R  
SC-89 (SOT- 490): Si1031X  
BENEFITS  
3
D
•
•
•
•
•
Ease in Driving Switches  
Low Offset (Error) Voltage  
Low-Voltage Operation  
High-Speed Circuits  
2
Marking Code: H  
Top View  
Ordering Information:  
Low Battery Voltage Operation  
Si1031R-T1-E3 (SC-75A, Lead (Pb)-free)  
Si1031R-T1-GE3 (SC-75A, Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
Si1031X-T1-E3 (SC-89, Lead (Pb)-free)  
Si1031X-T1-GE3 (SC-89, Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Si1031R  
Si1031X  
SteadyState  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Unit  
5 s  
SteadyState  
- 20  
5 s  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
ꢀ
TA = 25 °C  
TA = 85 °C  
- 150  
- 110  
- 140  
- 100  
- 1ꢀ5  
- 150  
- 155  
- 125  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
Pulsed Drain Currenta  
ID  
mA  
IDM  
IS  
- 500  
- ꢀ00  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
TA = 25 °C  
TA = 85 °C  
- 250  
280  
- 200  
250  
- 340  
340  
- 240  
300  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
mW  
145  
130  
170  
150  
TJ, Tstg  
ESD  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Gate-Source ESD Rating (HBM, Method 3015)  
- 55 to 150  
2000  
°C  
V
Notes:  
a. Surface Mounted on FR4 board.  
Document Number: 71171  
S-81543-Rev. C, 07-Jul-08  
www.vishay.com  
1
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SI1031R-T1-GE3 替代型号

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