SI1031X

更新时间： 2024-11-16 22:21:51

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威世 - VISHAY		晶体晶体管
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描述
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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SI1031X 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.155 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.34 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

SI1031X 数据手册

Si1031R/X

Vishay Siliconix

New Product

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

1.5−V Rated

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(mA)

8 @ V = -4.5 V

-150

-125

-100

-30

12 @ V = -2.5

-20

15 @ V = -1.8 V

20 @ V = -1.5 V

FEATURES

BENEFITS

APPLICATIONS

D High-Side Switching

D Ease in Driving Switches

D Low Offset (Error) Voltage

D Low-Voltage Operation

D High-Speed Circuits

D Drivers: Relays, Solenoids, Lamps,

Hammers, Displays, Memories

D Low On-Resistance: 8 W

D Low Threshold: 0.9 V (typ)

D Fast Switching Speed: 45 ns

D 1.8-V Operation

D Battery Operated Systems

D Power Supply Converter Circuits

D Load/Power Switching Cell Phones, Pagers

D Low Battery Voltage Operation

D Gate-Source ESD Protection

SC-75A or SC-89

SC-75A (SOT- 416): Si1031R

SC-89 (SOT- 490): Si1031X

Marking Code: H

Top View

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Si1031X

Si1031R

5 secs

Steady State

5 secs Steady State

Parameter

Symbol

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

-20

= 25_C

= 85_C

-140

-150

-165

-150

-155

-125

Continuous Drain Current (T = 150_C)

-110

-100

Pulsed Drain Current

-500

-600

Continuous Source Current (diode conduction)

-250

280

145

-200

250

130

-340

340

170

-240

300

150

= 25_C

= 85_C

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and Storage Temperature Range

Gate-Source ESD Rating (HBM, Method 3015)

T , T

-55 to 150

2000

stg

ESD

Notes

a. Surface Mounted on FR4 Board.

Document Number: 71171

S-31507—Rev. B, 14-Jul-03

www.vishay.com

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