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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-257AA |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 20 A | 最大漏源导通电阻： | 0.02 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-257AA |
| JESD-30 代码： | S-XSFM-P3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 100 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SHD2264C | SENSITRON |
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暂无描述 |
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| SHD226701 | SENSITRON |
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LOW RDS(on) HERMETIC POWER MOSFET - N-CHANNEL |
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| SHD226703 | SENSITRON |
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HERMETIC POWER MOSFET - N-CHANNEL |
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| SHD226707 | SENSITRON |
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HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL |
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| SHD2301 | SENSITRON |
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Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 60V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SHD23010 | SENSITRON |
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Power Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 200V, 0.52ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| SHD2302 | SENSITRON |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| SHD230202 | SENSITRON |
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HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL QUAD |
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| SHD230209 | SENSITRON |
获取价格 |
HERMETIC POWER MOSFET P-CHANNEL QUAD |
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| SHD2303 | SENSITRON |
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Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 200V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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