SHD226703

更新时间： 2024-11-17 04:04:51

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SENSITRON		晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
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描述
HERMETIC POWER MOSFET - N-CHANNEL

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SHD226703 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-257AA
包装说明：	FLANGE MOUNT, S-XSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (ID)：	27 A	最大漏源导通电阻：	0.08 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-257AA
JESD-30 代码：	S-XSFM-T3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SHD226703 数据手册

SHD226703

SENSITRON

SEMICONDUCTOR

TECHNICAL DATA

DATASHEET 4193, REV. -

HERMETIC POWER MOSFET - N-CHANNEL

FEATURES:

200 Volt, 0.08 Ohm, 27A MOSFET

Isolated Hermetic Metal Package

Low R_{DS (on)}

MAXIMUM RATINGS

ALL RATINGS ARE AT T_C= 25°C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED.

RATING

SYMBOL

V_GS

MIN.

-55

TYP.

MAX.

UNITS

Volts

Amps

GATE TO SOURCE VOLTAGE

ON-STATE DRAIN CURRENT

PULSED DRAIN CURRENT

OPERATING AND STORAGE TEMPERATURE

TOTAL DEVICE DISSIPATION

THERMAL RESISTANCE, JUNCTION TO CASE

±20

+175

150

I_D25

I_DM

T_J/T_STG

P_D

R_qJC

°C

Watts

°C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

CHARACTERISTIC

SYMBOL

MIN.

TYP.

MAX.

UNITS

DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN VOLTAGE

BV_DSS

200

Volts

V_GS= 0V, I_D= 250mA

STATIC DRAIN TO SOURCE ON STATE RESISTANCE

V_GS= 10V, I_D= 20A

R_DS(ON)

0.07

0.08

V_GS(th)

g_fs

Volts

GATE THRESHOLD VOLTAGE

FORWARD TRANSCONDUCTANCE

V_DS= 15V, I_D= 30A

ZERO GATE VOLTAGE DRAIN CURRENT

V_DS= 0.8 x Max. rating, V_GS= 0V, T_J= 25°C

V_DS= V_GS, I_D= 250mA

S(1/W)

I_DSS

I_GSS

T_J= 125°C

V_GS= 20V

V_GS= -20V

GATE TO SOURCE LEAKAGE FORWARD

GATE TO SOURCE LEAKAGE REVERSE

100

-100

TURN ON DELAY TIME

RISE TIME

V_DD= 100V

I_D= 20A

t_d(ON)

t_r

nsec

TURN OFF DELAY TIME

V_GS=10V

t_d(OFF)

t_f

V_SD

1.0

1.5

FALL TIME

DIODE FORWARD VOLTAGE

R_G= 2.5W

I_F= 20A, V_GS= 0V

Volts

nsec

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %

REVERSE RECOVERY TIME

T_J= 25°C,

t_rr

115

170

I_F=50A, V_R= 100V

di/dt = 100A/msec

V_GS= 0 V,

INPUT CAPACITANCE

C_iss

C_oss

C_rss

2150

215

OUTPUT CAPACITANCE

V_DS= 25 V,

REVERSE TRANSFER CAPACITANCE

f = 1.0MHz

·221 WEST INDUSTRY COURT · DEER PARK, NY 11729-4681 · PHONE (631) 586-7600 · FAX (631) 242-9798·

· World Wide Web Site -www.sensitron.com · E-Mail Address- sales@sensitron.com ·

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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SHD23010	SENSITRON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 200V, 0.52ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
SHD2302	SENSITRON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
SHD230202	SENSITRON	获取价格	HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL QUAD
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SHD2303	SENSITRON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 200V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
SHD230302	SENSITRON	获取价格	HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL
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