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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SHD231009
SHD231009 PDF预览

SHD231009

更新时间： 2024-09-21 06:11:31
品牌 Logo 应用领域
SENSITRON 晶体小信号场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 148K
描述
HERMETIC P-CHANNEL JFET

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SHD231009 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：DLCC
包装说明：CHIP CARRIER, R-CQCC-N3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.84
Is Samacsys：N配置：SINGLE
最大漏源导通电阻：75 ΩFET 技术：JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：7 pFJESD-30 代码：R-CQCC-N3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：DEPLETION MODE封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SHD231009 数据手册

 浏览型号SHD231009的Datasheet PDF文件第2页 
SHD231009  
SENSITRON  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL DATA  
DATA SHEET 4305, REV -  
HERMETIC P-CHANNEL JFET  
FEATURES: • 30 V, 75 Ω, 30 mA P-Channel JFET  
•
•
Hermetically Sealed  
Surface Mount Package: Ceramic LCC-3  
MAXIMUM RATINGS  
ALL RATINGS ARE AT TA = 25°C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED.  
RATING  
SYMBOL  
VGS  
IDSS  
BVGD  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
30  
-90  
UNITS  
V
mA  
V
°C  
°C/W  
W
GATE TO SOURCE VOLTAGE ID = 1µA, VDS = 0V  
SATURATED DRAIN CURRENT VGS = 0V, VDS = -18V  
GATE TO DRAIN BREAKDOWN VOLTAGE  
OPERATING AND STORAGE TEMPERATURE  
TERMAL RESISTANCE JUNCTION TO CASE  
-
-30  
-
-55  
-
-
-
-
-
-
-
30  
TOP/TSTG  
+175  
300  
0.5  
RθJC  
PD  
-
TOTAL DEVICE DISSIPATION @ TC = 25°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
DRAIN TO SOURCE ON STATE RESISTANCE  
VGS = 0V, ID = -1 mA  
Ω
RDS(ON)  
VGS(OFF)  
-
-
-
5
75  
10  
GATE SOURCE CUT OFF VOLTAGE  
V
VDS = -15V, ID = -1 nA  
COMMON SOURCE TRANSCONDUCTANCE  
VDS = -15V, ID = -1 mA  
DRAIN CUT OFF CURRENT,  
VDS = -15V, VGS = 12V TA = 25°C  
TA = 125°C  
gfs  
-
-
-
4.5  
- 10  
-
S(1/Ω)  
pA  
ID(OFF)  
- 500  
- 1  
- 0.02  
µA  
GATE REVERSE CURRENT  
TA = 125°C  
TURN ON DELAY TIME  
RISE TIME  
TURN OFF DELAY TIME  
FALL TIME  
VGS = 20V  
IGSS  
-
-
-
5
0.01  
6
10  
6
15  
- 0.7  
500  
1
-
pA  
µA  
VDD = - 10V,  
ID = - 15 mA,  
RG = 100Ω,  
td(ON)  
tr  
td(OFF)  
tf  
ns  
V
GS = 20V  
IG = - 1 mA  
DS = 0V  
GATE SOURCE FORWARD VOLTAGE  
VGS(F)  
-
-
-
- 1  
25  
7
V
V
INPUT CAPACITANCE VGS = 0V, VDS = -15V, f = 1MHz  
Ciss  
Crss  
20  
5
pF  
pF  
REVERSE TRANSFER CAPACITANCE  
VGS = 12V, VDS = 0V, f = 1MHz  
• 221 WEST INDUSTRY COURT • DEER PARK, NY 11729-4681 • PHONE (631) 586-7600 • FAX (631) 242-9798 •  
• World Wide Web - http://www.sensitron.com • E-mail Address - sales@sensitron.com •  
12

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