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SHD234001

更新时间： 2024-09-21 21:00:15
品牌 Logo 应用领域
SENSITRON 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 58K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 60V, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, CERDIP-14

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SHD234001 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：DIP
包装说明：IN-LINE, R-CDIP-T14针数：14
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.84外壳连接：ISOLATED
配置：SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：1.6 A最大漏源导通电阻：2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：35 pF
JESD-30 代码：R-CDIP-T14湿度敏感等级：1
元件数量：4端子数量：14
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SHD234001 数据手册

 浏览型号SHD234001的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SHD234001的Datasheet PDF文件第3页 
SHD234001  
SENSITRON  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL DATA  
DATA SHEET 259 REV -  
QUAD, N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE  
VERTICAL DMOSFETs  
FEATURES:  
œ
œ
œ
œ
œ
œ
œ
œ
4 independent channels  
4 electrically isolated dice  
Low threshold  
High input impedance  
Low input capacitance  
Fast switching speed  
Free from secondary breakdown  
Low input and output leakage  
MAXIMUM RATINGS  
RATING  
Continuous Current (ID)  
(AT T = 25 C AND APPLY TO EACH MOSFET UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)  
C
CONDITIONS  
MIN.  
-
-
TYP.  
-
-
MAX.  
1.6  
UNITS  
-
-
A
A
6.0  
Pulsed Current (IDM  
)
Drain-to-Gate Voltage (VGS)  
-
-
-
-
-
-
V
W
–20  
4
Total Power Dissipation, For four devices  
Operating Junction and Storage Temp. (TJ & Tstg)  
-
-65  
-
+150  
•C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(ALL ELECTRICAL CHARACTERISTICS T = 25 C)  
C
VGS =0, ID =1mA  
60  
-
-
V
Drain-to-Source Voltage (BVDSS  
Gate Threshold Voltage (VGS(th)  
Gate Body Leakage (IGSS  
Zero Gate Voltage Drain Current (IDSS), T = 25 C  
)
)
VGS = VDS, ID =1mA  
VGS = –20, VDS =0  
VGS = 0, VDS =60V  
0.6  
-
-
-
-
-
1.6  
100  
10  
V
nA  
uA  
)
J
1000  
T
= 125 C  
J
Static Drain-to-Source ON-State Resistance (RDS(ON)  
)
VGS =5V, ID =.75A  
VGS =10V, ID =.75A  
VGS = 0,  
-
1.5  
1.0  
100  
2.0  
1.5  
150  
OHMs  
-
-
pF  
pF  
Input Capacitance (CISS  
Common Source Output Capacitance (COSS  
Reverse Transfer Capacitance (CRSS  
)
50  
10  
85  
35  
)
VDS = 25V  
-
pF  
)
f =1 MHz  
VDD = 25V  
-
-
-
-
-
-
-
-
10  
10  
20  
12  
1.8  
-
ns  
ns  
ns  
ns  
V
Turn-On Delay Time (td(ON)  
)
ID = 1.5A  
Rise Time (tr)  
-
RGEN = 25W  
Turn-Off Delay Time (td(OFF)  
)
-
Fall Time (td(ON)  
)
VGS =0, ID =1.5A  
VGS =0, ID =1.5A  
0.8  
300  
Diode Forward Voltage (td(ON)  
)
ns  
Reverse Recovery Time (trr)  
221 WEST INDUSTRY COURT DEER PARK, NY 11729-4681 PHONE (631) 586-7600 FAX (631) 242-9798  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SHD23401 SENSITRON

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 60V, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SHD23401S SENSITRON

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