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SHD239608 PDF预览

SHD239608

更新时间： 2024-11-17 04:04:51
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SENSITRON /
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2页 42K
描述
POWER MOSFETS

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SHD239608 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：CHIP CARRIER, R-XBCC-N3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.84外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (ID)：20 A最大漏源导通电阻：0.35 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XBCC-N3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SHD239608 数据手册

 浏览型号SHD239608的Datasheet PDF文件第2页 
POWER MOSFETS  
HERMETIC POWER MOSFETs  
N-CHANNEL, SURFACE MOUNT  
DRAIN TO  
CONTINUOUS  
DRAIN  
CURRENT  
MAXIMUM  
POWER  
DISSIPATION  
STATIC  
DRAIN TO  
SOURCE ON  
RESISTANCE  
MAXIMUM  
THERMAL  
RESISTANCE  
SIMILAR  
PART TYPE  
TYPE  
NUMBER  
SOURCE  
BREAKDOWN  
VOLTAGE  
PKG.  
STYLE  
I
P
R
D
D
θJC  
V
R
(BR)DSS  
Amps  
Watts  
25°C  
100  
200  
200  
200  
200  
200  
200  
200  
200  
100  
200  
200  
200  
200  
200  
200  
200  
200  
100  
200  
200  
200  
200  
200  
200  
200  
200  
200  
200  
300  
300  
200  
300  
300  
200  
200  
300  
300  
300  
300  
200  
300  
300  
200  
300  
300  
200  
300  
300  
DS(on)  
Volts  
Ohms  
Amps  
25°C  
50  
45  
38  
30  
14  
12  
7.1  
6.2  
5.6  
50  
45  
38  
30  
14  
12  
7.1  
6.2  
5.6  
50  
45  
38  
30  
14  
12  
7.1  
6.2  
5.6  
45  
38  
75  
75  
30  
50  
50  
14  
12  
24  
24  
20  
20  
7.1  
13  
13  
6.2  
12  
12  
5.6  
12  
12  
100°C  
50  
31  
24  
°C/W  
0.7  
0.6  
0.6  
0.6  
0.6  
0.6  
0.6  
0.6  
0.6  
0.7  
0.6  
0.6  
0.6  
0.6  
0.6  
0.6  
0.6  
0.6  
0.7  
0.6  
0.6  
0.6  
0.6  
0.6  
SHD218413  
SHD2181  
SHD2182  
SHD2183  
SHD2184  
SHD2185  
SHD2186  
SHD2187  
SHD2188  
30  
60  
.012  
.02  
.055  
.85  
.30  
.40  
1.2  
1.6  
2.0  
.012  
.02  
.055  
.085  
.30  
.40  
1.2  
20  
31  
24  
QMTP75N03  
IRFM054  
IRFM150  
IRFM250  
IRFM350  
IRFM450  
IRFAE50  
IRFAF50  
IRFAG50  
QMTP75N03  
IRFM054  
IRFM150  
IRFM250  
IRFM350  
IRFM450  
IRFAE50  
IRFAF50  
IRFAG50  
QMTP75N03  
IRFM054  
IRFM150  
IRFM250  
IRFM350  
IRFM450  
IRFAE50  
IRFAF50  
IRFAG50  
IRFM054  
IRFM150  
IXTM75N10  
IXFM75N10  
IRFM250  
IXTM50N20  
IXFM50N20  
IRFM350  
100  
200  
400  
500  
800  
900  
1000  
30  
19  
19  
9.0  
7.75  
4.5  
4.0  
3.5  
50  
31  
24  
19  
9.0  
7.75  
4.5  
4.0  
3.5  
50  
31  
24  
19  
9.0  
7.75  
4.5  
4.0  
3.5  
31  
24  
50  
50  
19  
30  
30  
9.0  
7.75  
18  
18  
12  
12  
9.0  
7.75  
4.5  
4.0  
3.5  
20  
21  
24  
19  
9.0  
7.75  
4.5  
4.0  
3.5  
20  
21  
24  
19  
SHD-5  
SHD-5A  
SHD-5B  
SHD218413A  
SHD2181A  
SHD2182A  
SHD2183A  
SHD2184A  
SHD2185A  
SHD2186A  
SHD2187A  
SHD2188A  
SHD218413B  
SHD2181B  
SHD2182B  
SHD2183B  
SHD2184B  
SHD2185B  
SHD2186B  
SHD2187B  
SHD2188B  
SHD239501  
SHD239502  
SHD239601  
SHD239602  
SHD239503  
SHD239603  
SHD239604  
SHD239504  
SHD239505  
SHD239605  
SHD239606  
SHD239607  
SHD239608  
SHD239506  
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1.6  
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.02  
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.30  
.40  
1.2  
1.6  
2.0  
60  
100  
200  
400  
500  
800  
900  
1000  
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9.0  
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4.0  
3.5  
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0.6  
0.6  
0.6  
.02  
0.37  
0.37  
0.27  
0.27  
0.37  
0.27  
0.27  
0.37  
0.37  
0.27  
0.27  
0.27  
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0.34  
0.27  
0.27  
0.34  
0.27  
0.27  
0.34  
0.27  
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100  
100  
200  
200  
200  
400  
500  
500  
500  
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600  
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800  
800  
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900  
900  
1000  
1000  
1000  
.055  
.025  
.025  
.085  
.05  
.05  
.30  
.40  
.23  
.23  
.35  
.35  
1.2  
.80  
.80  
1.6  
.90  
24  
37.5  
37.5  
19  
25  
25  
9.0  
7.75  
12  
12  
10  
IRFM450  
IXTM24N50  
IXFM24N50  
IXTM20N60  
IXFM20N60  
IRFAE50  
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IXFM13N80  
IRFAF50  
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IXFM12N90  
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IXFM12N100  
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8.0  
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7.2  
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7.2  
7.2  
4.5  
6.5  
6.5  
4.0  
6.0  
6.0  
3.5  
6.0  
6.0  
.90  
2.0  
1.05  
1.05  
SHD-6  
Q PRELIMINARY INFORMATION  
HERMETIC POWER MOSFETs  
P-CHANNEL, SURFACE MOUNT  
DRAIN TO  
CONTINUOUS  
MAXIMUM  
STATIC  
MAXIMUM  
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12

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