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SHD248704

更新时间： 2024-11-20 21:21:39

品牌	Logo	应用领域
SENSITRON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	199K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18

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SHD248704 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	LCC
包装说明：	CHIP CARRIER, R-CQCC-N18	针数：	18
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	其他特性：	FAST SWITCHING
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5 A	最大漏极电流 (ID)：	5 A
最大漏源导通电阻：	0.18 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-CQCC-N18	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	18
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	22 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SHD248704 数据手册

SENSITRON

SEMICONDUCTOR

SHD248704

TECHNICAL DATA

DATA SHEET 4252, REV. -

HERMETIC POWER MOSFET

N-CHANNEL

FEATURES:

•

100 Volt, .18 Ohm, 5A MOSFET

Fast Switching

Low R_{DS (on)}

Characterized at V_GSof 6V

MAXIMUM RATINGS

ALL RATINGS ARE AT T_C= 25°C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED.

RATING

SYMBOL

V_GS

MIN.

-55

TYP.

MAX.

±20

+150

UNITS

Volts

Amps

GATE TO SOURCE VOLTAGE

ON-STATE DRAIN CURRENT

PULSED DRAIN CURRENT

I_D

I_DM

T_J/T_STG

P_D

R_thJC

@ T_C= 25°C

OPERATING AND STORAGE TEMPERATURE

°C

Watts

TOTAL DEVICE DISSIPATION @ T_C= 25°C

THERMAL RESISTANCE, JUNCTION TO CASE

5.8

°C/W

Volts

Ω

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN VOLTAGE

BV_DSS

100

_GS= 0V, I_D= 250µA

STATIC DRAIN TO SOURCE ON STATE RESISTANCE

V_GS= 10V, I_D= 3.6A

R_DS(ON)

0.18

STATIC DRAIN TO SOURCE ON STATE RESISTANCE

_GS= 6V, I_D= 2.4A

R_DS(ON)

V_GS(th)

0.20

4.0

Ω

Volts

GATE THRESHOLD VOLTAGE

250µA

V_DS= V_GS, I_D=

2.0

FORWARD TRANSCONDUCTANCE

V_DS= 15V; I_DS= 3.6A

ZERO GATE VOLTAGE DRAIN CURRENT

V_DS= 0.8 x Max. rating, V_GS= 0V

T_J= 125°C

V_GS

g_fs

S(1/Ω)

I_DSS

I_GSS

100

-100

µA

GATE TO SOURCE LEAKAGE FORWARD

20V

GATE TO SOURCE LEAKAGE REVERSE

TURN ON DELAY TIME

RISE TIME

TURN OFF DELAY TIME

FALL TIME

V_GS= -20V

V_DD= 50V,

I_D= 3.6A,

R_G= 6Ω

t_d(ON)

t_r

t_d(OFF)

t_f

nsec

Volts

DIODE FORWARD VOLTAGE

I_S= 7.4A, V_GS= 0V

V_SD

1.5

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2

REVERSE RECOVERY TIME

T_J= 25°C,

I_f= 3.6A

t_rr

nsec

di/dt ≤ 100A/µsec

V_GS= 0 V

INPUT CAPACITANCE

C_iss

C_oss

C_rss

370

OUTPUT CAPACITANCE

REVERSE TRANSFER CAPACITANCE

_DS= 25 V

f = 1.0MHz

•221 WEST INDUSTRY COURT • DEER PARK, NY 11729-4681 • PHONE (631) 586-7600 • FAX (631) 242-9798•

• World Wide Web Site - www.sensitron.com • E-Mail Address - sales@sensitron.com •

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