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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SHD280504
SHD280504 PDF预览

SHD280504

更新时间： 2024-11-08 09:26:39
品牌 Logo 应用领域
SENSITRON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
3页 69K
描述
HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL

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SHD280504 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-3
包装说明：FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2针数：2
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.84
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：400 V最大漏极电流 (ID)：14 A
最大漏源导通电阻：0.4 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-204AAJESD-30 代码：O-MBFM-P2
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：56 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：PIN/PEG端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SHD280504 数据手册

 浏览型号SHD280504的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SHD280504的Datasheet PDF文件第3页 
SENSITRON  
SEMICONDUCTOR  
SHD280504  
TECHNICAL DATA  
DATA SHEET 4066, REV.-  
HERMETIC POWER MOSFET  
N-CHANNEL  
FEATURES:  
œ
œ
œ
400 Volt, 0.3 Ohm, 14A MOSFET  
Low RDS (on)  
Electrically Equivalent to IRF350 Series  
MAXIMUM RATINGS  
ALL RATINGS ARE AT TC = 25•C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED.  
RATING  
SYMBOL  
MIN.  
-
-
-
-
-55  
-
TYP.  
MAX.  
–20  
14  
9.0  
56  
+150  
150  
0.83  
UNITS  
Volts  
Amps  
Amps  
Amps  
•C  
Watts  
•C/W  
GATE TO SOURCE VOLTAGE  
ON-STATE DRAIN CURRENT  
ON-STATE DRAIN CURRENT  
PEAK DRAIN CURRENT  
OPERATING AND STORAGE TEMPERATURE  
TOTAL DEVICE DISSIPATION @ TC = 25•C  
VGS  
ID  
ID  
IDM  
-
-
-
-
-
-
-
@ TC = 25•C  
@ TC = 100•C  
@ TC = 25•C  
TOP/TSTG  
PD  
RthJC  
THERMAL RESISTANCE, JUNCTION TO CASE  
-
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
CHARACTERISTIC  
DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN VOLTAGE  
SYMBOL  
BVDSS  
MIN.  
400  
TYP.  
-
MAX.  
UNITS  
Volts  
-
VGS = 0V, ID = 1.0mA  
STATIC DRAIN TO SOURCE ON STATE RESISTANCE  
-
-
W
VGS = 10V, ID = 9.0A  
RDS(ON)  
0.3  
0.4  
4
VGS = 10V, ID = 14A  
GATE THRESHOLD VOLTAGE VDS = VGS, IDS = 0.25mA  
FORWARD TRANSCONDUCTANCE  
VDS ˜ 15V, IDS = 9.0A  
VGS(th)  
gfs  
2
6.0  
-
-
Volts  
S(1/W)  
-
ZERO GATE VOLTAGE DRAIN CURRENT  
-
-
IDSS  
IGSS  
25  
VDS = Max. Rating, VGS = 0V  
VDS = 0.8xMax. Rating, VGS = 0V, TJ = 125•C  
GATE TO SOURCE LEAKAGE FORWARD  
GATE TO SOURCE LEAKAGE REVERSE  
TURN ON DELAY TIME  
RISE TIME  
TURN OFF DELAY TIME  
FALL TIME  
TJ = 25•C  
mA  
250  
VGS = 20V  
VGS = -20V  
VDD = 200V,  
ID = 14A,  
-
-
-
-
100  
-100  
35  
190  
170  
130  
110  
18  
nA  
td(ON)  
tr  
td(OFF)  
tf  
nsec  
RG = 2.35W  
TOTAL GATE CHARGE  
GATE TO SOURCE CHARGE  
GATE TO DRAIN CHARGE  
ID = 14A,  
VGS = 10V,  
Qg  
52  
5
25  
-
-
-
-
-
nC  
nC  
nC  
Qgs  
Qgd  
VSD  
VDS =0.5xMax. Rating  
65  
1.7  
Volts  
DIODE FORWARD VOLTAGE  
TC = 25•C, IS = 14A,  
VGS = 0V  
QRR  
trr  
-
-
-
-
250  
REVERSE RECOVERY CHARGE  
di/dt ˆ 100A/msec, VDD ˆ 50V  
REVERSE RECOVERY TIME  
TJ = 25•C,  
mC  
nsec  
pF  
1200  
TJ = 25•C,  
IF = 14A,  
di/dt ˆ 100A/msec, VDD ˆ 50V  
VGS = 0 V  
INPUT CAPACITANCE  
Ciss  
Coss  
Crss  
-
2600  
680  
250  
-
OUTPUT CAPACITANCE  
VDS = 25 V  
f = 1.0MHz  
REVERSE TRANSFER CAPACITANCE  
221 WEST INDUSTRY COURT DEER PARK, NY 11729-4681 PHONE (631) 586-7600 FAX (631) 242-9798  
World Wide Web Site - http://www.sensitron.com E-mail Address - sales@sensitron.com  
123

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