SHD280502

更新时间： 2024-11-20 09:26:39

品牌	Logo	应用领域
SENSITRON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
3页	66K
描述
HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SHD280502 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-3
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	38 A
最大漏源导通电阻：	0.055 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-204AA	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	150 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SHD280502 数据手册

SENSITRON

SEMICONDUCTOR

SHD280502

TECHNICAL DATA

DATA SHEET 4065, REV. -

HERMETIC POWER MOSFET

N-CHANNEL

DESCRIPTION: A 100-VOLT, 0.055-OHM MOSFET IN A HERMETIC TO-3 / TO-204AA PACKAGE.

MAXIMUM RATINGS

ALL RATINGS ARE AT T_A= 25C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED.

RATING

GATE TO SOURCE VOLTAGE

CONTINUOUS DRAIN CURRENT

SYMBOL

MIN.

TYP.

MAX.

UNITS

Volts

Amps

V_GS

I_D

150

+150

0.83

150

@ T_C= 25C

@ T_C= 100C

@ T_C= 25C

I_DM

T_OP/T_STG

-55

Amps(pk)

PULSED DRAIN CURRENT

OPERATING AND STORAGE TEMPERATURE

TERMAL RESISTANCE JUNCTION TO CASE

TOTAL DEVICE DISSIPATION @ T_C= 25C

C/W

Watts

P_D

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN VOLTAGE

BV_DSS

V_GS(TH)

R_DS(ON)

100

Volts

V_GS= 0V, I_D= 1.0mA

V_DS= V_GS, I_D= 250mA

DRAIN TO SOURCE ON STATE RESISTANCE

V_GS= 10Vdc, I_D= 24A

2.0

4.0

GATE THRESHOLD VOLTAGE

0.055

PULSE TEST, t 300 ms, DUTY CYCLE d 2%

ZERO GATE VOLTAGE DRAIN CURRENT

V_DS= 0.8xMax. Rating, V_GS= 0Vdc

V_DS= 0.8xMax. Rating

I_DSS

250

V_GS= 0Vdc, T_J= 125C

I_GSS

GATE TO BODY LEAKAGE CURRENT

V_GS= 20Vdc,

100

TOTAL GATE CHARGE

GATE TO SOURCE CHARGE V_DS= 0.5V Max. Rating,

GATE TO DRAIN CHARGE

TURN ON DELAY TIME

RISE TIME

TURN OFF DELAY TIME

FALL TIME

V_GS= 10 Vdc

Q_g

Q_gs

Q_gd

t_d(ON)

t_r

t_d(OFF)

t_f

125

I_D= 38A

V_DD= 50V,

I_D= 38A,

nsec

190

170

130

1.9

R_G= 2.35W

V_SD

Volts

nsec

FORWARD VOLTAGE

T_J= 25C, I_S= 38A, V_GS= 0V

PULSE TEST, t 300 ms, DUTY CYCLE d 2%

REVERSE RECOVERY TIME

REVERSE RECOVERY CHARGE

I_F= 38A

di/dt = 100A/msec

V_DD 30V

t_rr

500

Q_rr

C_iss

C_oss

C_rss

2.9

INPUT CAPACITANCE

OUTPUT CAPACITANCE

REVERSE TRANSFER CAPACITANCE

V_DS= 25 Vdc,

V_GS= 0 Vdc,

f = 1 MHz

3700

1100

200

221 WEST INDUSTRY COURT DEER PARK, NY 11729-4681 PHONE (631) 586-7600 FAX (631) 242-9798

World Wide Web Site - www.sensitron.com E-Mail Address - sales@sensitron.com

12 3

中文翻译

下载PDF

与SHD280502相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SHD280504	SENSITRON	获取价格	HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL
SHD285808	SENSITRON	获取价格	MOSFETs
SHD3	CIT	获取价格	CIT SWITCH
SHD306363	SENSITRON	获取价格	HERMETIC POWER ULTRAFAST RECTIFIER
SHD3072S	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, Silicon, HERMETIC SEALED, TO-258, 3 PIN
SHD3073	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, Silicon, HERMETIC SEALED, TO-258, 3 PIN
SHD3073D	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 40A, Silicon, HERMETIC SEALED, TO-258, 3 PIN
SHD3073DS	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 40A, Silicon, HERMETIC SEALED, TO-258, 3 PIN
SHD3073NS	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 40A, Silicon, HERMETIC SEALED, TO-258, 3 PIN
SHD3073P	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 40A, Silicon, HERMETIC SEALED, TO-258, 3 PIN

与SHD280502相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

24
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

16
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

48
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SHD280502

SHD280502 技术参数

SHD280502 数据手册

与SHD280502相关器件

与SHD280502相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SHD280502

SHD280502 技术参数

SHD280502 数据手册

与SHD280502相关器件

与SHD280502相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？