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SHD248302

更新时间： 2024-09-21 21:09:59
品牌 Logo 应用领域
SENSITRON 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 71K
描述
Power Field-Effect Transistor, 10.8A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18

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SHD248302 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：LCC
包装说明：CHIP CARRIER, R-XQCC-N18针数：18
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.84配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：10.8 A
最大漏源导通电阻：0.18 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XQCC-N18湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：18
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SHD248302 数据手册

 浏览型号SHD248302的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SHD248302的Datasheet PDF文件第3页 
SENSITRON  
SEMICONDUCTOR  
SHD248302  
TECHNICAL DATA  
DATA SHEET 739, REV -  
HERMETIC POWER MOSFET  
N-CHANNEL  
FEATURES:  
œ
œ
œ
œ
100 Volt, 0.18 Ohm, 7.4A MOSFET  
Fast Switching  
Low RDS (on)  
Equivalent to IRFE130  
MAXIMUM RATINGS  
ALL RATINGS ARE AT TC = 25•C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED.  
RATING  
GATE TO SOURCE VOLTAGE  
ON-STATE DRAIN CURRENT  
ON-STATE DRAIN CURRENT  
OPERATING AND STORAGE TEMPERATURE  
SYMBOL  
VGS  
MIN.  
-
-
-
-55  
-
TYP.  
MAX.  
–20  
10.8  
6.8  
+150  
UNITS  
Volts  
Amps  
Amps  
•C  
Watts  
•C/W  
-
-
-
-
-
-
ID  
ID  
@ TC = 25•C  
@ TC = 100•C  
TOP/TSTG  
PD  
RthJC  
TOTAL DEVICE DISSIPATION @ TC = 25•C  
THERMAL RESISTANCE, JUNCTION TO CASE  
-
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN VOLTAGE  
BVDSS  
100  
-
-
-
-
Volts  
VGS = 0V, ID = 1.0mA  
STATIC DRAIN TO SOURCE ON STATE RESISTANCE  
RDS(ON)  
0.18  
W
VGS = 10V, ID = 5.4A  
VGS(th)  
gfs  
2.0  
3.0  
-
-
4.0  
-
Volts  
S(1/W)  
GATE THRESHOLD VOLTAGE  
FORWARD TRANSCONDUCTANCE  
VDS = 15V, IDS = 6.8A  
VDS = VGS, ID = 250mA  
ZERO GATE VOLTAGE DRAIN CURRENT  
-
-
VDS = 0.8xMax. Max. Rating, VGS = 0V  
IDSS  
IGSS  
25  
mA  
250  
VDS = 0.8xMax. Rating, VGS = 0V, TJ = 125•C  
GATE TO SOURCE LEAKAGE FORWARD  
GATE TO SOURCE LEAKAGE REVERSE  
TURN ON DELAY TIME  
RISE TIME  
TURN OFF DELAY TIME  
FALL TIME  
VGS = 20V  
VGS = -20V  
VDD = 50V,  
ID = 10.8A,  
RG = 7.5W  
-
-
-
-
100  
-100  
30  
nA  
td(ON)  
tr  
td(OFF)  
tf  
75  
nsec  
40  
45  
TOTAL GATE CHARGE  
GATE TO SOURCE CHARGE  
GATE TO DRAIN CHARGE  
ID = 10.8A,  
VGS = 10V,  
VDS =0.5xMax. Rating  
TC = 25•C, IS = 10.8A,  
VGS = 0V  
Qg  
Qgs  
Qgd  
VSD  
12.8  
1.0  
3.8  
-
-
-
-
-
28.5  
6.3  
16.6  
1.5  
nC  
nC  
nC  
Volts  
DIODE FORWARD VOLTAGE  
QRR  
trr  
-
-
-
-
3.0  
REVERSE RECOVERY CHARGE  
di/dt ˆ 100A/msec, VDD ˆ 50V  
REVERSE RECOVERY TIME  
TJ = 25•C,  
mC  
nsec  
pF  
300  
TJ = 25•C,  
IF = 10.8A,  
di/dt ˆ 100A/msec, VDD ˆ 50V  
VGS = 0 V  
INPUT CAPACITANCE  
Ciss  
Coss  
Crss  
-
650  
240  
44  
-
OUTPUT CAPACITANCE  
VDS = 25 V  
f = 1.0MHz  
REVERSE TRANSFER CAPACITANCE  
221 WEST INDUSTRY COURT DEER PARK, NY 11729-4681 PHONE (631) 586-7600 FAX (631) 242-9798  
World Wide Web Site - http://www.sensitron.com E-mail Address - sales@sensitron.com  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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