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SHD248201

更新时间： 2024-11-30 21:17:39

品牌	Logo	应用领域
SENSITRON		局域网脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	70K
描述
Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18

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SHD248201 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	LCC
包装说明：	CHIP CARRIER, R-XQCC-N18	针数：	18
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	110 mJ	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	6.7 A	最大漏源导通电阻：	0.15 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-XQCC-N18
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	18	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	27 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SHD248201 数据手册

SENSITRON

SEMICONDUCTOR

SHD248201

Technical Data

Datasheet 4194, Rev. -

HERMETIC POWER MOSFET

N-CHANNEL

FEATURES:

Surface Mount

Hermetically Sealed

Small Footprint

Dynamic dv/dt Rating

Alternative to TO-39 Package

Avalanche Energy and dv/dt Rated

Screened to S-100 Level

MAXIMUM RATINGS

ALL RATINGS ARE AT T_C= 25C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED.

RATING

SYMBOL MIN.

TYP.

MAX.

6.7

4.2

UNITS

Amps

Volts

C/W

Watts

CONTINUOUS DRAIN CURRENT

PULSED DRAIN CURRENT

GATE TO SOURCE VOLTAGE

JUNCTION TO CASE

V_GS=10V

V_GS=10V T_C=100

I_D

I_DM

R_thJC

P_D

E_AS

9.1

110

0.11

5.5

MAXIMUM POWER DISSIPATION

SINGLE PULSE AVALANCHE ENERGY

LINEAR DERATING FACTOR

PEAK DIODE RECOVERY

OPERATING JUNCTION AND STORAGE

TEMPERATURE

W/C

V/ns

dv/dt

T_J/T_STG

-55

150

PACKAGE MOUNTING SURFACE TEMPERATURE

(5 Seconds)

300

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

CHARACTERISTIC

SYMBOL MIN.

TYP.

MAX.

UNITS

Volts

DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN VOLTAGE

V_GS= 0V, I_D= 1.0mA

BV_DSS

STATIC DRAIN TO SOURCE ON STATE RESISTANCE

Pulse width 300ms; duty cycle 2%

R_DS(ON)

0.15

0.17

I_D= 4.2A

I_D= 6.7A

TEMPERATURE COEFFICIENT OF BREAKDOWN VOLTAGE

V_GS= 0V, I_D= 1.0 mA

0.068

DBV_DSS

DT_J

V_GS(th)

C_iss

C_oss

C_rss

I_S

V/C

Volts

2.0

640

340

4.0

GATE THRESHOLD VOLTAGE

INPUT CAPACITANCE

OUTPUT CAPACITANCE

V_DS= V_GS, I_D= 250mA

V_GS= 0 V

V_DS= 25 V

REVERSE TRANSFER CAPACITANCE

CONTINUOUS SOURCE CURRENT

PULSE SOURCE CURRENT

f = 1.0MHz

(Body Diode)

6.7

200

Amps

I_SM

t_rr

REVERSE RECOVERY TIME di/dt 100 A/ms, V_DD 50V

221 WEST INDUSTRY COURT DEER PARK, NY 11729-4681 PHONE (631) 586-7600 FAX (631) 242-9798

World Wide Web - http://www.sensitron.com E-mail Address - sales@sensitron.com

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