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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DLCC |
| 包装说明： | CHIP CARRIER, R-MBCC-N3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 50 A | 最大漏极电流 (ID)： | 50 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.015 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-MBCC-N3 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 270 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 80 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SHD246004 | SENSITRON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| SHD246004S | SENSITRON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| SHD246006S | SENSITRON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 60V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| SHD246723 | SENSITRON |
获取价格 |
HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL |
|
| SHD246723S | SENSITRON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 60V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| SHD248201 | SENSITRON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SHD248302 | SENSITRON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10.8A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| SHD248305 | SENSITRON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SHD248704 | SENSITRON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| SHD258624 | SENSITRON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 600V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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