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SHD246006S

更新时间： 2024-11-20 19:44:27

品牌	Logo	应用领域
SENSITRON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	62K
描述
Power Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 60V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC-4

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SHD246006S 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	LCC
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.8	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	0.25 A	最大漏源导通电阻：	3 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-CDSO-N4
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	1.3 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SHD246006S 数据手册

SENSITRON

SEMICONDUCTOR

SHD246006

TECHNICAL DATA

DATA SHEET 699, REV. A

HERMETIC POWER MOSFET

N-CHANNEL

SHD246006S -- S-100 (JANTX) Screening

FEATURES:

60 Volt, 3.0 Ohm, 0.25 A MOSFET

Isolated Hermetic, Ceramic Package

Fast Switching

Low R_{DS (on)}

MAXIMUM RATINGS

ALL RATINGS ARE AT T_C= 25C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED.

RATING

DRAIN TO SOURCE VOLTAGE

GATE TO SOURCE VOLTAGE

ON-STATE DRAIN CURRENT @ T_C= 25C

PULSED DRAIN CURRENT @ T_C= 25C

OPERATING AND STORAGE TEMPERATURE

SYMBOL

V_DS

MIN.

-55

TYP.

MAX.

0.25

1.3

+150

1.0

130

UNITS

Volts

Amps

V_GS

I_{D (on)}

I_DM

T_OP/T_STG

P_D

R_thJC

C/W

TOTAL DEVICE DISSIPATION @ T_C= 25C

THERMAL RESISTANCE, JUNCTION TO CASE

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN VOLTAGE

BV_DSS

I_D(on)

0.8

Volts

Amp

V_GS= 0V, I_D= 10mA

V_DS= 7.5V, V_GS= 10V

ON-STATE DRAIN CURRENT

Pulse width = 300ms, Duty cycle 2%

STATIC DRAIN TO SOURCE ON STATE RESISTANCE

R_DS(ON)

3.0

4.0

2.5

Pulse width = 300ms,

Duty cycle 2%

GATE THRESHOLD VOLTAGE

V_GS= 10V, I_D= 500mA

V_GS= 5V, I_D= 200mA

V_DS= V_GS, I_D= 250mA

V_GS(th)

g_fs

1.0

Volts

S(1/W)

FORWARD TRANSCONDUCTANCE

250

V_DS= 15V, I_D= 200mA

ZERO GATE VOLTAGE DRAIN CURRENT

V_DS= 60V, V_GS= 0V

V_DS= 60V, V_GS= 0V, T_C= 125C

I_DSS

I_GSS

1.0

500

GATE TO SOURCE LEAKAGE FORWARD

V_GS= 15V

V_GS= -15V

V_DS= 0V

-10

GATE TO SOURCE LEAKAGE REVERSE

TOTAL GATE CHARGE

GATE-SOURCE CHARGE

GATE-DRAIN CHARGE

TURN ON DELAY TIME

RISE TIME

TURN OFF DELAY TIME

FALL TIME

INPUT CAPACITANCE

OUTPUT CAPACITANCE

REVERSE TRANSFER CAPACITANCE

V_DS= 30V,

V_GS= 10V,

I_D= 250mA

V_DD= 25V,

I_D= 150mA,

Q_g

Q_gs

Q_gd

t_d(ON)

t_r

t_d(OFF)

t_f

C_iss

C_oss

C_rss

0.4

0.06

7.5

6.0

7.5

3.0

0.6

nsec

V_GS= 0 V,

V_DS= 25 V,

f = 1.0MHz

6.0

1.2

221 WEST INDUSTRY COURT DEER PARK, NY 11729-4681 PHONE (631) 586-7600 FAX (631) 242-9798

World Wide Web Site - http://www.sensitron.com E-Mail Address - sales@sensitron.com

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SHD246723	SENSITRON	获取价格	HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL
SHD246723S	SENSITRON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 60V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
SHD248201	SENSITRON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
SHD248302	SENSITRON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10.8A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
SHD248305	SENSITRON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
SHD248704	SENSITRON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
SHD258624	SENSITRON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 600V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
SHD274002	SENSITRON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 100V, 4-Element, N-Channel, Silicon, Meta
SHD274002S	SENSITRON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 100V, 4-Element, N-Channel, Silicon, Meta
SHD280502	SENSITRON	获取价格	HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL

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