SHD239409

更新时间： 2024-11-17 09:26:39

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SENSITRON		晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲
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描述
HERMETIC POWER MOSFET P-CHANNEL

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SHD239409 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	CHIP CARRIER, R-XBCC-N3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	18 A	最大漏源导通电阻：	0.22 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-XBCC-N3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	72 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SHD239409 数据手册

SENSITRON

SEMICONDUCTOR

SHD239409

TECHNICAL DATA

DATA SHEET 4051, REV -

HERMETIC POWER MOSFET

P-CHANNEL

FEATURES:

-100 Volt, 0.2 Ohm, -18A MOSFET

Electrically Isolated Hermetically Sealed

Low R_{DS (on)}

Equivalent to IRF9140 Series

MAXIMUM RATINGS

ALL RATINGS ARE AT T_A= 25C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED.

RATING

GATE TO SOURCE VOLTAGE

CONTINUOUS DRAIN CURRENT V_GS=10V, T_C= 25C

V_GS=10V, T_C= 100C

SYMBOL

MIN.

TYP.

MAX.

UNITS

Volts

Amps

V_GS

I_D

-18

-11

I_DM

T_OP/T_STG

-55

-72

+150

0.4

Amps

C/W

Watts

PULSED DRAIN CURRENT

@ T_C= 25C

OPERATING AND STORAGE TEMPERATURE

TERMAL RESISTANCE JUNCTION TO CASE

TOTAL DEVICE DISSIPATION @ T_C= 25C

P_D

300

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN VOLTAGE

BV_DSS

-100

Volts

V_GS= 0V, I_D= 1.0mA

DRAIN TO SOURCE ON STATE RESISTANCE

0.20

0.22

V_GS= -10V, I_D= -11A

R_DS(ON)

V_GS= -10V, I_D= -18A

GATE THRESHOLD VOLTAGE V_DS= V_GS, I_D= -250mA

FORWARD TRANSCONDUCTANCE

V_DS -15V, I_DS= -11A

V_GS(th)

g_fs

-2.0

6.2

-4.0

Volts

S(1/W)

ZERO GATE VOLTAGE DRAIN CURRENT

V_DS= 0.8x Max. Rating, V_GS= 0V

V_DS= 0.8x Max. Rating

I_DSS

-25

-250

V_GS= 0V, T_J= 125C

GATE TO SOURCE LEAKAGE FORWARD V_GS= -20V

GATE TO SOURCE LEAKAGE REVERSE

TOTAL GATE CHARGE

I_GSS

-100

100

V_GS= 20V

V_GS= -10V

Q_g

Q_gs

Q_gd

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

3.7

7.0

GATE TO SOURCE CHARGE

GATE TO DRAIN CHARGE

TURN ON DELAY TIME

RISE TIME

V_DS= Max. Ratingx0.5

I_D= -18A

V_DD= -50V,

I_D=-11A,

35.2

nsec

TURN OFF DELAY TIME

R_G= 9.1W

FALL TIME

V_SD

-4.2

280

Volts

nsec

DIODE FORWARD VOLTAGE

T_J= 25C, I_S= -18A,

V_GS= 0V

t_rr

DIODE REVERSE RECOVERY TIME

REVERSE RECOVERY CHARGE

T_J= 25C,

I_F= -18A,

di/dt = -100A/msec,

V_DD -50V

Q_rr

3.6

INPUT CAPACITANCE

V_GS= 0 V,

C_iss

C_oss

C_rss

C_DC

1400

600

200

OUTPUT CAPACITANCE

V_DS= 25 V,

f = 1.0MHz

REVERSE TRANSFER CAPACITANCE

DRAIN TO CASE CAPACITANCE

221 WEST INDUSTRY COURT DEER PARK, NY 11729-4681 PHONE (631) 586-7600 FAX (631) 242-9798

World Wide Web Site - http://www.sensitron.com E-mail Address - sales@sensitron.com

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