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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DLCC |
| 包装说明： | CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.8 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | FAST SWITCHING | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.25 A | 最大漏源导通电阻： | 3 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-CBCC-N3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 1.3 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SHD231006_10 | SENSITRON |
获取价格 |
HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL |
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| SHD231008 | SENSITRON |
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HERMETIC DEPLETION MODE DMOS N-CHANNEL |
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| SHD231009 | SENSITRON |
获取价格 |
HERMETIC P-CHANNEL JFET |
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| SHD232008 | SENSITRON |
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Power Field-Effect Transistor, 250V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi |
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| SHD234001 | SENSITRON |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 60V, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| SHD23401 | SENSITRON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 60V, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| SHD23401S | SENSITRON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 60V, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| SHD239409 | SENSITRON |
获取价格 |
HERMETIC POWER MOSFET P-CHANNEL |
|
| SHD239501 | SENSITRON |
获取价格 |
POWER MOSFETS |
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| SHD239502 | SENSITRON |
获取价格 |
HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL |
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