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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.84 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 10 A | 最大漏源导通电阻： | 0.42 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | S-CQCC-N28 |
| JESD-609代码： | e0 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 50 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SHD2306 | SENSITRON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.4A I(D), 800V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SHD2307 | SENSITRON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 900V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SHD230704 | SENSITRON |
获取价格 |
HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL QUAD |
|
| SHD2308 | SENSITRON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1000V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
|
| SHD231006 | SENSITRON |
获取价格 |
HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL |
|
| SHD231006_10 | SENSITRON |
获取价格 |
HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL |
|
| SHD231008 | SENSITRON |
获取价格 |
HERMETIC DEPLETION MODE DMOS N-CHANNEL |
|
| SHD231009 | SENSITRON |
获取价格 |
HERMETIC P-CHANNEL JFET |
|
| SHD232008 | SENSITRON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 250V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi |
|
| SHD234001 | SENSITRON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 60V, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
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