SHD231008

更新时间： 2024-09-21 06:11:31

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SENSITRON		晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲
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2页	162K
描述
HERMETIC DEPLETION MODE DMOS N-CHANNEL

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SHD231008 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DLCC
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	250 V	最大漏源导通电阻：	6 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-CDSO-N3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	1 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SHD231008 数据手册

SHD231008

SENSITRON

SEMICONDUCTOR

TECHNICAL DATA

DATA SHEET 4302, REV -

HERMETIC DEPLETION MODE DMOS

N-CHANNEL

FEATURES: • 250 V, 6 Ω, 300 mA DMOS N-Channel FET

•

Hermetically Sealed

Surface Mount Package: Ceramic LCC-3

MAXIMUM RATINGS

ALL RATINGS ARE AT T_A= 25°C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED.

RATING

SYMBOL

V_GS

MIN.

TYP.

MAX.

±20

300

UNITS

GATE TO SOURCE VOLTAGE

SATURATED DRAIN SOURCE CURRENT V_GS= 0V,

V_DS= 15V T_C= 25°C

I_DSS

I_DM

T_OP/T_STG

R_θJC

-55

1000

+150

PULSED DRAIN CURRENT

OPERATING AND STORAGE TEMPERATURE

TERMAL RESISTANCE JUNCTION TO CASE

@ T_C= 25°C

°C

°C/W

P_D

1.6

TOTAL DEVICE DISSIPATION @ T_C= 25°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN VOLTAGE

BV_DSX

BV_DGX

250

Ω

V_GS= -5V, I_D= 100 µA

DRAIN TO GATE BREAKDOWN VOLTAGE

V_GS= -5V, I_D= 100 µA

DRAIN TO SOURCE ON STATE RESISTANCE

V_GS= 0V, I_D= 200 mA

R_DS(ON)

V_GS(OFF)

g_fs

-3.5

GATE SOURCE OFF VOLTAGE V_DS= 15V, I_D= 1 mA

FORWARD TRANSCONDUCTANCE

-1.5

225

S(1/Ω)

_DS= 10V, I_D= 150 mA

DRAIN SOURCE LEAKAGE CURRENT,

_DS= 0.8 x Max Rating, V_GS= -5V

I_D(OFF)

T_J= 25°C

T_J= 125°C

µA

GATE TO SOURCE LEAKAGE FORWARD

GATE TO SOURCE LEAKAGE REVERSE

TURN ON DELAY TIME

RISE TIME

V_GS= 20V

_GS= -20V

V_DD= 25V,

I_D= 150 mA,

R_G= 25Ω,

I_GSS

100

-100

t_d(ON)

t_r

t_d(OFF)

t_f

TURN OFF DELAY TIME

FALL TIME

DIODE FORWARD VOLTAGE T_J= 25°C,I_SD= 150 mA

_GS= -5V

V_GS= 0V to - 10V

V_SD

1.8

t_rr

800

REVERSE RECOVERY TIME

T_J= 25°C,

_GS= -5V, I_SD= 150mA

V_GS= -5V, V_DS= 25V,

f = 1.0MHz

INPUT CAPACITANCE

OUTPUT CAPACITANCE

C_iss

C_oss

C_rss

350

REVERSE TRANSFER CAPACITANCE

• 221 WEST INDUSTRY COURT • DEER PARK, NY 11729-4681 • PHONE (631) 586-7600 • FAX (631) 242-9798 •

• World Wide Web - http://www.sensitron.com • E-mail Address - sales@sensitron.com •

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