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SHD230452

更新时间： 2024-11-18 12:20:03

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描述
HERMETIC POWER MOSFET P-CHANNEL

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SHD230452 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	LCC
包装说明：	CHIP CARRIER, S-XQCC-N28	针数：	28
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	20 A
最大漏源导通电阻：	0.06 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	S-XQCC-N28	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	28
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SHD230452 数据手册

SENSITRON

SEMICONDUCTOR

SHD230452

TECHNICAL DATA

DATA SHEET 722, REV. -

HERMETIC POWER MOSFET

P-CHANNEL

FEATURES:

-100 Volt, 0.065 Ohm, -20A MOSFET

Fast Switching

Low R_{DS (on)}

Electrically Equivalent to IRF5210

MAXIMUM RATINGS

ALL RATINGS ARE AT T_C= 25C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED.

RATING

GATE TO SOURCE VOLTAGE

CONTINUOUS DRAIN CURRENT V_GS=-10V, T_C= 25C

V_GS=-10V, T_C= 100C

SYMBOL

MIN.

TYP.

MAX.

UNITS

Volts

Amps

V_GS

I_D

-20

OPERATING AND STORAGE TEMPERATURE

THERMAL RESISTANCE, JUNCTION TO CASE

TOTAL DEVICE DISSIPATION @ T_C= 25C

T_OP/T_STG

R_thJC

-55

+150

1.3

C/W

Watts

P_D

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN VOLTAGE

V_GS= 0V, I_D= -250mA

BV_DSS

-100

Volts

STATIC DRAIN TO SOURCE ON STATE RESISTANCE

R_DS(ON)

0.06

V_GS= -10V, I_D= 0.6x rated I_D

V_GS(th)

g_fs

-2.0

-4.0

Volts

S(1/W)

GATE THRESHOLD VOLTAGE V_DS= V_GS, I_D= -250mA

FORWARD TRANSCONDUCTANCE

V_DS I_{D (ON)}X R_{DS (ON)}Max., I_DS= 0.6 X I_D

ZERO GATE VOLTAGE DRAIN CURRENT

V_DS= Max. Rating, V_GS= 0V

I_DSS

I_GSS

-25

-250

V_DS= 0.8xMax. Rating, V_GS= 0V, T_J= 125C

GATE TO SOURCE LEAKAGE FORWARD

GATE TO SOURCE LEAKAGE REVERSE

TOTAL GATE CHARGE

V_GS= 20V

V_GS= -20V

V_GS= -10 V,

V_DS= -80 V,

100

-100

180

Q_g

Q_gs

Q_gd

t_d(ON)

t_r

t_d(OFF)

t_f

GATE TO SOURCE CHARGE

GATE TO DRAIN CHARGE

TURN ON DELAY TIME

RISE TIME

TURN OFF DELAY TIME

FALL TIME

I_D= .5 x rated I_D

V_DD= -50V,

I_D= .5xI_D,

nsec

R_G= 2.5W

V_SD

-1.6

260

Volts

nsec

DIODE FORWARD VOLTAGE

T_j= 25C, I_S= .5xI_D,

V_GS= 0V

t_rr

170

1.2

2700

790

400

REVERSE RECOVERY TIME

T_J= 25C,

I_f= I_D,

Q_rr

1.8

di_F/ds = 100A/msec,

V_GS= 0 V

INPUT CAPACITANCE

C_iss

C_oss

C_rss

OUTPUT CAPACITANCE

V_DS= -25 V

REVERSE TRANSFER CAPACITANCE

f = 1.0MHz

Note: Continuous current ratings are limited by package.

221 WEST INDUSTRY COURT DEER PARK, NY 11729-4681 PHONE (631) 586-7600 FAX (631) 242-9798

World Wide Web Site - http://www.sensitron.com E-mail Address - sales@sensitron.com

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