是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.84 |
配置: | SINGLE | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 25 A | 最大漏极电流 (ID): | 25 A |
最大漏源导通电阻: | 0.075 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | S-CQCC-N28 | JESD-609代码: | e0 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | CHIP CARRIER |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 50 W | 最大功率耗散 (Abs): | 50 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SHD230202 | SENSITRON |
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HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL QUAD | |
SHD230209 | SENSITRON |
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HERMETIC POWER MOSFET P-CHANNEL QUAD | |
SHD2303 | SENSITRON |
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Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 200V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
SHD230302 | SENSITRON |
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HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL | |
SHD230303 | SENSITRON |
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DUAL HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL | |
SHD2304 | SENSITRON |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 400V, 0.32ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
SHD230405 | SENSITRON |
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HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL | |
SHD230409 | SENSITRON |
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HERMETIC POWER MOSFET P-CHANNEL | |
SHD230410 | SENSITRON |
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Power Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 200V, 0.52ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me | |
SHD230452 | SENSITRON |
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HERMETIC POWER MOSFET P-CHANNEL |