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SHD2302

更新时间: 2024-11-30 20:39:07
品牌 Logo 应用领域
SENSITRON 晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 39K
描述
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

SHD2302 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.84
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):25 A最大漏极电流 (ID):25 A
最大漏源导通电阻:0.075 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:S-CQCC-N28JESD-609代码:e0
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:28工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:SQUARE封装形式:CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:50 W最大功率耗散 (Abs):50 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:NO LEAD端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

SHD2302 数据手册

  

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