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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 21 A | 最大漏极电流 (ID)： | 21 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.105 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | S-CQCC-N28 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 50 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SHD230302 | SENSITRON |
获取价格 |
HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL |
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| SHD230303 | SENSITRON |
获取价格 |
DUAL HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL |
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| SHD2304 | SENSITRON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 400V, 0.32ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SHD230405 | SENSITRON |
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HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL |
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| SHD230409 | SENSITRON |
获取价格 |
HERMETIC POWER MOSFET P-CHANNEL |
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| SHD230410 | SENSITRON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 200V, 0.52ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| SHD230452 | SENSITRON |
获取价格 |
HERMETIC POWER MOSFET P-CHANNEL |
|
| SHD2305 | SENSITRON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 500V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SHD2306 | SENSITRON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.4A I(D), 800V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SHD2307 | SENSITRON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 900V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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