SHD218409

更新时间： 2024-09-16 09:26:39

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SENSITRON		晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲
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描述
HERMETIC POWER MOSFET P-CHANNEL

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SHD218409 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	HERMETIC SEALED, SHD-5, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.79
Is Samacsys：	N	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	18 A	最大漏极电流 (ID)：	18 A
最大漏源导通电阻：	0.22 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-XXSO-N3	JESD-609代码：	e0
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	167 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	72 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SHD218409 数据手册

SENSITRON

SEMICONDUCTOR

SHD218409

SHD218409A

SHD218409B

TECHNICAL DATA

DATA SHEET 349, REV -

HERMETIC POWER MOSFET

P-CHANNEL

FEATURES:

•

-100 Volt, 0.2 Ohm, -18A MOSFET

Electrically Isolated Hermetically Sealed

Low R_{DS (on)}

Equivalent to IRF9140 Series

MAXIMUM RATINGS

ALL RATINGS ARE AT T_A= 25°C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED.

RATING

GATE TO SOURCE VOLTAGE

SYMBOL

MIN.

TYP.

MAX.

UNITS

Volts

Amps

V_GS

I_D

±20

-18

-11

CONTINUOUS DRAIN CURRENT V_GS=10V, T_C= 25°C

V_GS=10V, T_C= 100°C

I_DM

T_OP/T_STG

-55

-72

+150

0.75

167

Amps

°C

°C/W

Watts

PULSED DRAIN CURRENT

@ T_C= 25°C

OPERATING AND STORAGE TEMPERATURE

TERMAL RESISTANCE JUNCTION TO CASE

TOTAL DEVICE DISSIPATION @ T_C= 25°C

R_θJC

P_D

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN VOLTAGE

BV_DSS

-100

Volts

V_GS= 0V, I_D= 1.0mA

DRAIN TO SOURCE ON STATE RESISTANCE

0.20

0.22

_GS= -10V, I_D= -11A

_GS= -10V, I_D= -18A

R_DS(ON)

V_GS(th)

g_fs

-2.0

6.2

-4.0

Volts

GATE THRESHOLD VOLTAGE V_DS= V_GS, I_D= -250μA

FORWARD TRANSCONDUCTANCE

V_DS≥ -15V, I_DS= -11A

S(1/Ω)

ZERO GATE VOLTAGE DRAIN CURRENT

μA

V_DS= 0.8x Max. Rating, V_GS= 0V

I_DSS

-25

V_DS= 0.8x Max. Rating

-250

V_GS= 0V, T_J= 125°C

GATE TO SOURCE LEAKAGE FORWARD V_GS= -20V

GATE TO SOURCE LEAKAGE REVERSE

I_GSS

-100

100

35.2

V_GS= 20V

V_GS= -10V

TOTAL GATE CHARGE

Q_g

Q_gs

Q_gd

t_d(on)

t_r

3.7

7.0

GATE TO SOURCE CHARGE

GATE TO DRAIN CHARGE

TURN ON DELAY TIME

RISE TIME

_DS= Max. Ratingx0.5

I_D= -18A

V_DD= -50V,

I_D=-11A,

nsec

t_d(off)

t_f

V_SD

-4.2

280

TURN OFF DELAY TIME

FALL TIME

DIODE FORWARD VOLTAGE

R_G= 9.1Ω

Volts

nsec

T_J= 25°C, I_S= -18A,

V_GS= 0V

t_rr

DIODE REVERSE RECOVERY TIME

REVERSE RECOVERY CHARGE

T_J= 25°C,

I_F= -18A,

di/dt = -100A/μsec,

V_DD≤ -50V

Q_rr

3.6

μC

INPUT CAPACITANCE

OUTPUT CAPACITANCE

V_GS= 0 V,

V_DS= 25 V,

C_iss

C_oss

C_rss

C_DC

1400

600

200

REVERSE TRANSFER CAPACITANCE

DRAIN TO CASE CAPACITANCE

f = 1.0MHz

• 221 WEST INDUSTRY COURT • DEER PARK, NY 11729-4681 • PHONE (631) 586-7600 • FAX (631) 242-9798 •

• World Wide Web Site - http://www.sensitron.com • E-mail Address - sales@sensitron.com •

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