是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-CSSO-G2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.76 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE | 最小漏源击穿电压: | 200 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 30 A | 最大漏极电流 (ID): | 30 A |
最大漏源导通电阻: | 0.085 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-CSSO-G2 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 功耗环境最大值: | 150 W |
最大功率耗散 (Abs): | 150 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SHD2183BS | SENSITRON |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
SHD2184 | SENSITRON |
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POWER MOSFETS | |
SHD218409 | SENSITRON |
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HERMETIC POWER MOSFET P-CHANNEL | |
SHD218409A | SENSITRON |
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HERMETIC POWER MOSFET P-CHANNEL | |
SHD218409B | SENSITRON |
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HERMETIC POWER MOSFET P-CHANNEL | |
SHD218413 | SENSITRON |
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POWER MOSFETS | |
SHD218413A | SENSITRON |
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POWER MOSFETS | |
SHD218413B | SENSITRON |
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POWER MOSFETS | |
SHD218414 | SENSITRON |
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HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL | |
SHD218414A | SENSITRON |
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HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL |