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SGW10N60AFKSA1

更新时间： 2024-09-19 20:46:11

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网电动机控制栅瞄准线晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	349K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC, GREEN, PLASTIC, TO-247, 3 PIN

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SGW10N60AFKSA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247AC
包装说明：	GREEN, PLASTIC, TO-247, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.73	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	20 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
JEDEC-95代码：	TO-247AC	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	224 ns
标称接通时间 (ton)：	40 ns	Base Number Matches：	1

SGW10N60AFKSA1 数据手册

SGP10N60A

SGW10N60A

Fast IGBT in NPT-technology

• 75% lower E_offcompared to previous generation

combined with low conduction losses

• Short circuit withstand time – 10 µs

• Designed for:

- Motor controls

- Inverter

PG-TO-247-3

• NPT-Technology for 600V applications offers:

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behaviour

- parallel switching capability

PG-TO-220-3-1

• Qualified according to JEDEC¹for target applications

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

Type

V_CE

I_C

V_CE(sat)

2.3V

T_j

Marking

G10N60A

Package

SGP10N60A

SGW10N60A

600V

10A

PG-TO-220-3-1

PG-TO-247-3

150°C

2.3V

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

DC collector current

T_C= 25°C

V_CE

I_C

600

10.6

T_C= 100°C

Pulsed collector current, t_plimited by T_jmax

Turn off safe operating area

I_Cpuls

_CE≤ 600V, T_j≤ 150°C

Gate-emitter voltage

V_GE

E_AS

±20

Avalanche energy, single pulse

I_C= 10 A, V_CC= 50 V, R_GE= 25 Ω,

start at T_j= 25°C

Short circuit withstand time²

t_SC

µs

_GE= 15V, V_CC≤ 600V, T_j≤ 150°C

Power dissipation

P_tot

T_C= 25°C

Operating junction and storage temperature

Soldering temperature,

T_j, T_stg

T_s

-55...+150

260

°C

wavesoldering, 1.6mm (0.063 in.) from case for 10s

¹J-STD-020 and JESD-022

²Allowed number of short circuits: <1000; time between short circuits: >1s.

Rev. 2.5 Nov 09

12 3 4 5 6 7...12

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SGW10N60RUFD	FAIRCHILD	获取价格	Short Circuit Rated IGBT
SGW10N60RUFDTM	FAIRCHILD	获取价格	暂无描述
SGW13N60UF	FAIRCHILD	获取价格	Ultra-Fast IGBT
SGW13N60UFD	FAIRCHILD	获取价格	Ultra-Fast IGBT
SGW13N60UFDTM	FAIRCHILD	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 13A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, D2PAK-3
SGW13N60UFDTM	ROCHESTER	获取价格	13A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB, D2PAK-3
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