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SEMIX302GB128DS

更新时间： 2024-01-07 20:42:28

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
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SPT IGBT Modules

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SEMIX302GB128DS 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X15	针数：	15
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.81
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	310 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR	JESD-30 代码：	R-XUFM-X15
JESD-609代码：	e2	元件数量：	2
端子数量：	15	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver (Sn/Ag)	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	522 ns	标称接通时间 (ton)：	239 ns
Base Number Matches：	1

SEMIX302GB128DS 数据手册

SEMiX 302GB128Ds

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Characteristics

Symbol Conditions

IGBT

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SEMiX 302GB128Ds

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Features

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