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SEMIX302GB128D

更新时间: 2024-10-27 22:43:19
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 1184K
描述
SPT IGBT Modules

SEMIX302GB128D 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:CASE SEMIX 2, 11 PIN针数:11
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.81Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):310 A
集电极-发射极最大电压:1200 V配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
JESD-30 代码:R-XUFM-X11JESD-609代码:e2
元件数量:2端子数量:11
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
参考标准:IEC-60747-1表面贴装:NO
端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):522 ns标称接通时间 (ton):239 ns
Base Number Matches:1

SEMIX302GB128D 数据手册

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SEMiX 302GB128D  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
IGBT  
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max. Units  
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Features  
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Typical Applications  
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GB  
1
15-06-2005 SEN  
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