RN2108FS

更新时间： 2024-09-26 13:12:59

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东芝 - TOSHIBA		晶体晶体管 PC
页数	文件大小	规格书
6页	171K
描述
TRANSISTOR 50 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, FSM, 2-1E1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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RN2108FS 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	2-1E1A, FSM, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.71	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 2.14
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

RN2108FS 数据手册

RN2107~RN2109

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)

RN2107,RN2108,RN2109

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit

Unit: mm

and Driver Circuit Applications

l With built-in bias resistors

l Simplify circuit design

l Reduce a quantity of parts and manufacturing process

l Complementary to RN1107~RN1109

Equivalent Circuit and Bias Resister Values

Type No.

R1 (kΩ)

R2 (kΩ)

RN2107

RN2108

RN2109

JEDEC

EIAJ

―

TOSHIBA

Weight: 2.4mg

2-2H1A

Maximum Ratings (Ta = 25°C) (Q1, Q2 Common)

Characteristic

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

−50

CBO

CEO

RN2107~RN2109

Collector-emitter voltage

RN2107

RN2108

RN2109

−6

Emitter-base voltage

−7

EBO

−15

Collector current

−100

100

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

*: Total rating

RN2107~RN2109

150

−55~150

°C

stg

2001-06-07

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RN2108FV	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1L1A, VESM, 3 PIN, BIP Genera
RN2108MFV	TOSHIBA	获取价格	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
RN2108MFV(TL3PAV)	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
RN2108MFV(TPL3)	TOSHIBA	获取价格	Digital Transistors 100mA -50volts 3Pin 22K x 47Kohms
RN2109	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
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